Ловшенко Иван Юрьевич
 |
☏ +375 17 293 84 09
публикации в репозитории БГУИР Web of Science ID: W-7987-2018 ORCID ID: 0000-0002-0007-2587 |
ОБЛАСТЬ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
- Системы автоматизированного проектирования в микроэлектроники.
- Приборно-технологическое моделирование структур силовой электроники, солнечной энергетики, а также ЭКБ специального назначения и двойного применения, в том числе с повышенной радиационной стойкостью.
- Разработка моделей приборных структур, учитывающих деградацию эксплуатационных характеристик при воздействии проникающей радиации.
- Схемотехническое моделирование и топологическое проектирование ИМС.
ЧИТАЕМЫЕ УЧЕБНЫЕ ДИСЦИПЛИНЫ
- Информационные технологии в производстве интегральных микросхем.
- Системы автоматизированного проектирования интегральных микросхем.
- Информационные технологии.
- Интернет-технологии.
2016 год – исследователь, специальность «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах», Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники.
2013 год – магистр технических наук, специальность «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах», Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники.
2012 год – инженер электронной техники, специальность «Микро- и наноэлектронные технологии и системы», Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники.
2009 год – техник-технолог, специальность «Микроэлектроника», Минский государственный высший радиотехнический колледж.
ТРУДОВАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ
2019 год – по настоящее время – заведующий НИЛ «Компьютерное проектирование микро- и наноэлектронных систем», Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники.
2018 год – по настоящее время – старший преподаватель кафедры микро- и наноэлектроники, Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники.
2014 – 2018 годы – ассистент кафедры микро- и наноэлектроники, Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники.
2013 – 2019 годы – младший научный сотрудник НИЛ «Компьютерное проектирование микро- и наноэлектронных систем», Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники.
2012 – 2013 годы – инженер-электроник НИЛ «Компьютерное проектирование микро- и наноэлектронных систем», Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники.
ПРОФЕССИОНАЛЬНЫЕ ДОСТИЖЕНИЯ
- Разработана учебная программа дисциплины «Основы компьютерного проектирования в микро- и наноэлектронике» и электронные ресурсы по учебным дисциплинам «Основы компьютерного проектирования в микро- и наноэлектронике», «Функциональное и схемотехническое проектирование интегральных микросхем» и «Топологическое проектирование интегральных микросхем» для специальностей «Микро- и наноэлектронные технологии и системы» и «Квантовые информационные технологии».
- Один из авторов учебного пособия с грифом Министерства образования Республики Беларусь «Компьютерное проектирование интегральных микросхем. Методы и программные средства приборно-технологического моделирования».
- С 2012 года являлся ответственным исполнителем и исполнителем проектов и заданий ГПНИ, БРФФИ и хозяйственных договоров с организациями Республики Беларусь.
- Грамота БГУИР (2017 год).
НАУЧНЫЕ СТАТЬИ, ПАТЕНТЫ И ДРУГИЕ НАУЧНЫЕ ТРУДЫ
Опубликовано 57 работ, в том числе более 20 статей в отечественных и зарубежных научных журналах, подготовлены и успешно представлены доклады на ведущих международных научно-технических конференциях.
НАИБОЛЕЕ ЗНАЧИМЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ЗА 2015-2020 ГОДЫ
- Моделирование воздействия тяжелой заряженной частицы на электрические характеристики приборной структуры n-МОП-транзистора И.Ю. Ловшенко, В.Р. Стемпицкий, В.Т. Ханько - Доклады БГУИР. - 2020. – Т. 18, № 7. – с. 55-62.
- Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графена И.Ю. Ловшенко, В.С. Волчёк, В.Т. Шандарович, Дао Динь Ха - Доклады БГУИР. – 2020. – Т. 18, № 3. – с. 72-80.
- Физико-топологическая модель полевого транзистора, учитывающая деградацию эксплуатационных характеристик при влиянии ионизирующего излучения Ловшенко И. Ю., Стемпицкий В. Р., Шандарович В. Т. - Инфокоммуникационные и радиоэлектронные технологии. – Т. 2. – № 4. –2019. – с. 466-475.
- Экстракция параметров компактных моделей элементной базы интегральных микросхем специального назначения Ловшенко И. Ю., Стемпицкий В. Р., Шандарович В. Т. - Инфокоммуникационные и радиоэлектронные технологии. – Т. 2. – № 4. – 2019. – с. 456-465.
- Physic-topological (electrical) model of a junction field effect transistor, taking into account the degradation of operational characteristics under the influence of penetrating radiation I. Lovshenko, V. Khanko and V. Stempitsky - ITM Web of Conferences 30, 10002 - 2019. – p. 8.
- Simulation of the Heavy Charged Particle Impacts on Electrical Characteristics of N-MOSFET Device Structure I. Lovshenko, Dao Dinh Ha, Tran Tuan Trung, Nguyen Trong Quang, V. Khanko, V. Stempitsky. - The International Conference on Advanced Technologies for Communications – Hanoi, Vietnam, 2019. – p. 189-193.
- Features of the penetrating radiation effects simulation on the electronic components characteristics for aerospace vehicles data processing system I. Lovshenko, A. Belous, M. Kutas, V. Solodukha, V. Stempitsky - Proceedings of the Work in Progress Session Euromicro 2018. – Prague (Czech Republic). – 2018. – p. 2.
- Radiation influence on electrical characteristics of complementary junction field-effect transistors exploited at low temperatures I.Yu. Lovshenko, V.T. Khanko, V.R. Stempitsky - J. Materials Physics and Mechanics. – St.Petersburg :Institute of Problems of Mechanical Engineering, vol. 39. – No 1. – 2018. – p. 92 - 101.
- Технологические и конструктивные решения высокочастотных, мощных и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлия И.Ю. Ловшенко, В.С. Волчек, Дао Динь Ха, В.Т. Ханько, В.Р. Стемпицкий - Телекоммуникации: сети и технологии, алгебраическое кодирование и безопасность данных : сборник материалов Международного научно-технического семинара. – Минск: БГУИР, 2017. – С. 69-74.
- Investigation of the radiations effect on the electrical characteristics of a junction field-effect transistor I. Lovshenko, O. Dvornikov, V. Stempitsky, V. Khanko - Proceedings of NDTCS-2017. – Minsk : BSUIR, 2017. – p. 147-150.
- Optimization of structural and technological parameters of junction field-effect transistor with increased radiation hardness I. Lovshenko, O. Dvornikov, V. Stempitsky, V. Khanko - Proceedings of NDTCS-2017. – Minsk : BSUIR, 2017. – P. 150-155.
- Technological and Electrical Characteristics of High Temperature Schottky Diodes I. Lovshenko, A. Belous, M. Kutas, V. Solodukha, S. Shwedov V. Stempitsky - Proceedings of DSD-2017. – Vienna. – 2017. – p 4.
- Приборно-технологическое моделирование высокотемпературных диодов Шоттки И.Ю. Ловшенко, Я.А. Соловьев, В.А. Солодуха, В.Р. Стемпицкий - Современные проблемы радиоэлектроники : материалы XX Всероссийской научно-технической конференции. – Красноярск: Сибирский федеральный университет, Институт инженерной физики и радиоэлектроники. – 2017. – c. 511-513.
- Биполярный транзистор с изолированным затвором, изготовленный в объемном кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе» И.Ю. Ловшенко, И. Шелибак, В.Р. Стемпицкий - Доклады БГУИР. – 2016. – № 8 (102). – c. 89-93.
- Интегральный трехмерный магнитометр на основе датчиков Холла, изготовленный по стандартной КМОП технологии И.Ю. Ловшенко, Дао Динь Ха, В.С. Волчёк, М.С. Баранова, Д.Ч. Гвоздовский, В.Р. Стемпицкий - Доклады БГУИР. – 2016. – № 7 (101). – c. 167-171.
- Optimization of structural and technological parameters of the field effect Hall sensor I. Lovshenko, V. Volchek, V. Stempitsky, Dao Dinh Ha, A. Belous, V. Saladukha The International Conference on Advanced Technologies for Communications – 2015, Ho Chi Minh, Vietnam – p. 642-644.