НИЛ 4.10 «Нанотехнологии»

Сфера деятельности

Формирование и исследование характеристик наноструктурированных модифицированных анодных оксидов вентильных металлов (Al, Ta, Nb, Zr и др.) и их сплавов; формирование шаблонов на основе пористого анодного оксида алюминия (АОА) для заполнения пор полупроводниковыми, магнитными, углеродными и биочувствительными материалами; применение металлических, полупроводниковых, оксидных структур в качестве функциональных элементов для микро- и наноэлектроники, оптоэлектроники и микромеханики.

Технологии

  • электрохимическое анодирование алюминия и биметаллических слоёв Ta (Ti, Nb, Zr)/Al
  • электрохимическое осаждение металлов и полупроводниковых соединений AIIIBV в поры АОА
  • заполнение АОА шаблонов полупроводниковыми, магнитными, углеродными, биочувствительными материалами

Тематика исследований

  • Управляемый направленный синтез новых функциональных материалов и покрытий на основе анодных оксидов алюминия и переходных металлов, металлических, металлоксидных и полупроводниковых наноструктур, исследование механизма образования и роста, их структуры и физико-химических свойств, зависимостей «структура — свойства».
  • Разработка электрохимических процессов формирования тонкопленочных элементов и структур на основе наноструктурированных материалов для микро- и наноэлектроники, микро- и наномеханики, оптоэлектроники и мембранной техники.
  • Разработка, исследование и функцианализация наноструктурированных модифицированных форм анодных оксидов вентильных металлов в составе различных тонкопленочных композиций и создании на их основе функциональных элементов и систем для микро- наноэлектроники, оптоэлектроники и микромеханики.

 Разработки

  • Нанопористые подложки и мембраны на основе анодного оксида алюминия для высокочувствительных микромощных химических сенсоров.
  • Тонкопленочные микромощные химические сенсоры для контроля минимальных концентраций токсичных газов в технологической и окружающей средах, датчики влажности и другие микромеханические системы.
  • Матрицы полевых эмиссионных катодов на основе массивов вертикально-ориентированных металлических, углеродных и полупроводниковых наноструктур в матрицах АОА, полевых эмиссионные элементы.
  • Наностуктурированные материалы для перспективных термоэлектрических устройств на основе квантовых проводов антимонида индия.
  • Матрицы автоэмиссионных катодов из массивов столбиковых металлооксидных ниобиевых наноструктур.
  • Высокочастотные планарные индуктивно-емкостные элементы гибридных интегральных микросхем.
  • Технология тонкоплёночных высокоомных прецизионных резисторов для гибридных интегральных схем.
  • Нанопористые анодно-оксидные сепараторы для многоразовых литиевых источников питания.
  • Массивы металлических нанопроводов, полученных в модифицированных матрицах анодного оксид алюминия.
  • Технология позиционированных микронных и субмикронных спэйсеров из анодного оксида алюминия для ЖК экранов.
  • Технология двухуровневой планарной алюминиевой металлизации для полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем.

Сотрудничество

  • Научно-исследовательский институт МЭИ
  • Унитарное производственное предприятие «Микрон»
  • Научно-исследовательский институт  Точного приборостроения (г. Москва, Россия)
  • Научно-исследовательский институт Микроприборов (г. Киев, Украина)
  • Bergische Universitat Wuppertal (г. Вупперталь, Германия)
  • Научно-исследовательский институт Радиоматериалов
  • Белорусский национальный технический университет (г. Минск, Беларусь)
  • Белорусский государственный технологический университет (г. Минск, Беларусь)

 

ЗАВЕДУЮЩИЙ ЛАБОРАТОРИЕЙ

Горох Геннадий Георгиевич

кандидат технических наук

тел.:+375 17 293 80 47

рабочее место: каб. 202 (1 корпус)