Стемпицкий Виктор Романович

Стемпицкий Виктор Романович

Заместитель начальника Научно-исследовательской части БГУИР,
научный руководитель НИЛ "Компьютерное проектирование микро- и наноэлектронных систем"

кандидат технических наук, доцент                                      

☏  +375 17 293 84 45

рабочее место: каб. 320 (1 корпус

🖂   vstem@bsuir.by                                                                               

персональная страница Scopus

персональная страница Google Scholar

персональная страница РИНЦ

ORCID ID: 0000-0001-9362-7539

ОБЛАСТЬ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

  • компьютерное моделирование, проектирование и оптимизация технологических процессов и элементов интегральных микросхем
  • проектирование и изготовление на базе foundry-компаний заказных (аналоговых, цифровых и смешанных) ИМС на схемотехническом, топологическом и системном уровнях
  • исследование посредством квантово-механического моделирования структурных, электронных, магнитных и оптических свойств перспективных наноразмерных материалов

 

ЧИТАЕМЫЕ УЧЕБНЫЕ ДИСЦИПЛИНЫ

  • основы компьютерного проектирования в микро- и наноэлектронике;
  • системы автоматизированного проектирования интегральных микросхем;
  • топологическое проектирование интегральных микросхем;
  • функциональное и схемотехническое проектирование интегральных микросхем;
  • информационные технологии.

 

ОБРАЗОВАНИЕ

2000 год – Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, специальность «Микроэлектроника».

2005 год – кандидат технических наук, Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, специальность «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах».

2010 год – доцент, Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники.

 

ТРУДОВАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ 

с 2019 года – по настоящее время – заместитель начальника научно-исследовательской части.

2011  2019 годы – заведующий научно-исследовательской лабораторией «Компьютерное проектирование микро- и наноэлектронных систем».

с 2005 года  по настоящее время – доцент кафедры микро- и наноэлектроники.

2001–2005 годы – ассистент кафедры микроэлектроники.

 

ПРОФЕССИОНАЛЬНЫЕ ДОСТИЖЕНИЯ

  • опубликовано более 10 учебных и учебно-методических пособий, в том числе одно с Грифом министерства образования Республики Беларусь
  • подготовлено и успешно защищено 3 аспиранта (2010, 2015, 2018 годы)
  • научный руководитель 3 лауреатов и 2 дипломантов конкурса научных работ учащихся высших учебных заведений Республики Беларусь
  • с 1999 года научный руководитель и ответственный исполнитель более 45 проектов и заданий ГПНИ, ГНТП, Союзного государства, грантов Министерства образования Республики Беларусь и БРФФИ, хозяйственных договоров с организациями Республики Беларусь, в том числе ответственный исполнитель двух проектов, финансируемых Европейской Комиссией (Рамочные программы ЕС)
  • премия III степени специального фонда Президента Республики Беларусь по социальной поддержке одаренных учащихся и студентов (2015 год)
  • грамота Министерства образования Республики Беларусь (2016 год)
  • грамота (2018 год) и почетная грамота БГУИР (2004, 2014 годы);
  • победитель (2008 год) и призер (2007, 2009–2010 годы) конкурса «Лучший молодой преподаватель БГУИР»

 

ЧЛЕНСТВО В НАУЧНЫХ СООБЩЕСТВАХ/ОРГАНИЗАЦИЯХ
  • руководитель группы пользователей программного пакета VASP (единственная группа в Республике Беларусь, имеющая официальную лицензию)
  • представитель БГУИР в консорциуме EUROPRACTICE
  • редактор журнала «Material Physics and Mechanics» (2017–2019 годы, Санкт-Петербург, Российская Федерация)
  • член организационных и программных комитетов отечественных и зарубежных научных конференций, а также редактор сборников материалов
 

НАУЧНЫЕ СТАТЬИ, ПАТЕНТЫ И ДРУГИЕ НАУЧНЫЕ ТРУДЫ

Более 120 научных публикаций, в том числе более 20 статей в научных журналах, 2 монографии в соавторстве.

 

НАИБОЛЕЕ ЗНАЧИМЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ЗА 2019-2020 ГОДЫ

  • GaN HEMT Thermal Characteristics Evaluation Using an Integrated Approach Based on the Combined Use of First-Principles and Device Simulations - M. Baranova, D. Hvazdouski, V. Volcheck, V. Stempitsky, Dao Dinh Ha, Trung Tran Tuan - 2020 International Conference on Advanced Technologies for Communications (ATC): conference proceedings, Nha Trang, Oct. 8-10, 2020. - Nha Trang, 2020. - P. 65-69.
  • Mobility of a two-dimensional electron gas in the AlGaN/GaN heterostructure: simulation and analysis - V. Volcheck, V. Stempitsky - J. Phys.: Conf. Ser. - 2019. - Vol. 1410. - 012200.
  • Physic-topological (electrical) model of a junction field effect transistor, taking into account the degradation of operational characteristics under the influence of penetrating radiation - I. Lovshenko, V. Khanko, V. Stempitsky - ITM Web of Conferences 30, 10002 (2019). - P. 8.
  • Magnetic Properties of Vacancies and Doped Chromium in a ZnO Crystal - V. Jafarova, G. Orudzhev,  S. Huseynova, V. Stempitsky, M. Baranava // Semiconductors. - 2018. - Vol. 52. - P. 1047-1050.
  • Исследование характеристик датчика холла с различной геометрией активной области - Дао Динь Ха, Стемпицкий В.Р. - Нано- и микросистемная техника. – 2018. – T. 20. – No 3. – С. 174–186.
  • Radiation influence on electrical characteristics of complementary junction field-effect transistors exploited at low temperatures - I. Lovshenko, V. Khanko, V. Stempitsky - J. Materials Physics and Mechanics. - St.Petersburg : Institute of Problems of Mechanical Engineering, vol. 39. - No 1. - 2018. - P. 92-101.
  • Electronic properties of graphene-based heterostructures - V. Skachkova, M. Baranava, D. Hvazdouski, V. Stempitsky - J. Phys.: Conf. Ser. 917. – 2017. – 092012.
  • Usage of cobalt oxide particles as precursor for FEBID: Ab initio study - V. Skachkova, J. Tamuliene, V. Stempitsky - J. Nanopart. Res., 18 – 2016. – 264.
  • Optimization of structural and technological parameters of the field effect Hall sensor / I. Lovshenko, V. Volchek, V. Stempitsky, Dao Dinh Ha, A. Belous, V. Saladukha // The International Conference on Advanced Technologies for Communications – 2015, Ho Chi Minh, Vietnam – P. 642-644.