Ионный двухлучевой источник

НАЗНАЧЕНИЕ

Предназначен для формирования тонких пленок металлов, полупроводников и диэлектриков методом ионно-лучевого распыления и реактивного ионно-лучевого распыления, также применяется для ионной очистки поверхности подложек активации поверхности. Двухлучевой ионный источник имеет две отдельные ступени генерации ионных пучков и формирует два независимых ионных пучка, один из которых служит для распыления материала мишени, а второй – для предварительной ионной очистки подложек и ионного ассистирования.

Область применения

  • Ионно-лучевое распыление.
  • Реактивное ионно-лучевое распыление.
  • Двойное ионно-лучевое распыление.
  • Предварительная ионная очистка поверхности.
  • Ионно-ассистированное нанесение слоев.
  • Формирование переходного слоя (ion mixing).
  • Ионное травление.

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ионного источника с мишенью диаметра80 мм

Распыляющая ступень

Анодное напряжение, В

450…6000

Энергия ионов, эВ

300… 2000

Ток разряда, мА

до 300

Ток ионного пучка, мА

до 250

Рабочее давление, Па0,01…0,06

6

Расход газа, мл/мин

до 50

Рабочие газы

Ar, O2 , N2 , CH 4 и т.д.

Скорость нанесения слоев, нм/c

до 0,8

Ассистирующая ступень

Анодное напряжение, В

450…3000 (максимальное – 6000 )

Энергия ионов, эВ

300…1000 (максимальная – 2000)

Ток ионного пучка, мA

до 120

Рабочее давление, Па

0,01…0,06

Расход газа, мл/мин

до 30

Рабочие газы

Ar, O2 , N2 , CH 4 и т.д.

Преимущества

  • Осуществляет распыление металлических, полупроводниковых и диэлектрических мишеней на постоянном токе.
  • Отсутствие накальных элементов позволяет использовать инертные и реактивные (O2, N2 и др.) газы и эффективно осаждать компонентные пленки, отличающиеся от материала мишени.
  • Блок мишеней может состоять из четырех различных мишеней, что позволяет осаждать многослойные покрытия в едином вакуумном цикле.

КОНТАКТЫ

ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь

Телефон: +375 17 293-80-79  
Факс: +375 17 292-96-28
e-mail: szavad@bsuir.by

ДРУГИЕ РАЗРАБОТКИ НАПРАВЛЕНИЯ:

ГКР-активные подложки для повышения чувствительности спектроскопии комбинационного рассеяния света

Программно-управляемое оборудование импульсного электролиза для формирования многослойных функциональных электрохимических покрытий

Малогабаритная СВЧ-плазмохимическая установка

Технология композиционно-модулированных многослойных структур на основе золота (серебра) и ультрадисперсного алмаза (УДА)

Программный комплекс моделирования процесса плазменного напыления покрытий

Ионный источник для ионно-ассистированного нанесения слоев

Распыляющий ионный источник

Ионный источник на основе торцевого холловского ускорителя

Безканальный нейтрализатор ионного пучка

Технология ионно-ассистированного осаждения пленок

Несбалансированная магнетронная распылителительная система

Магнетронные распылительные устройства постоянного, импульсного тока для формирования тонких пленок

Установка для азотирования в плазме пульсирующего тока

Низковакуумное и ионно-ассистированное магнетронное распыление

Технология ионно-плазменного нанесения

Мини-фабрика заказных микроэлектронных изделий

Реактор комбинированного изотропно-анизотропного травления материальной электронной техники

Устройство вакуумного осаждения органических мультислойных пленок

Установка синтеза массивов углеродных нанотрубок «Нанофаб-1»

Технология быстрого производства систем на пластине (SoW)

Наноструктурные материалы на основе углеродных нанотрубок

Алюминиевые анодированные основания (подложки)

Многоуровневые системы межсоединений

Электрохимическая алюмооксидная технология (ЭЛАТ) создания изделий электронной техники

Алюминиевые многовыводные корпуса

Тонкопленочные температурные сенсоры

Нагревательные элементы на основе алюминия

Наноструктурированные функциональные слои для изделий бытовой и промышленной электроники

Микродисплей светоизлучающего типа для видеопроекционных устройств и систем персонального типа

Светоизлучающие диоды на основе наноструктурированного кремния

Технология формирования индикатора изображения на алюминии

Технология формирования кластеров германия в пленках поликристаллического кремния, легированных германием