Ионный источник для ионно-ассистированного нанесения слоев

НАЗНАЧЕНИЕ

Предназначен для предварительной очистки подложек, ионного травления, ионного ассистирования при нанесении тонких пленок и формирования слоев методом непосредственного нанесения из пучка.

Область применения

  • Ионно-ассистированное нанесение (IBAD) совместно с электронно-лучевыми и лазерными дуговыми испарителями, ионно-лучевыми распыляющими системами.
  • Формирование переходного слоя пленка – подложка (ионное перемешивание).
  • Предварительная ионная очистка.
  • Ионно-лучевое травление с возможностью использования химически активных газов.
  • Прямое нанесение из пучка (DiBD).
  • Ионно-ассистированное магнетронное распыление (IBAM).

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ на основе ускорителя с анодным слоем

Анодное напряжение, В; энергия ионов, эВ

1200…6000; 400…2000

Ток ионного пучка, мA

до 200

Рабочее давление, Па

0,01…0,06

Расход газа, мл/мин

до 40

Рабочие газы – Ar, O2, N2, углеводороды, хлор- и фторсодержащие газы

Преимущества

  • Высокая адгезия слоев.
  • Возможность управления внутренними напряжениями в слое.
  • Низкая пористость наносимых слоев.
  • Управляемая стехиометрия при нанесении соединений.

КОНТАКТЫ

ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь

Телефон: +375 17 293-80-79  
Факс: +375 17 292-96-28
e-mail: szavad@bsuir.by

ДРУГИЕ РАЗРАБОТКИ НАПРАВЛЕНИЯ:

ГКР-активные подложки для повышения чувствительности спектроскопии комбинационного рассеяния света

Программно-управляемое оборудование импульсного электролиза для формирования многослойных функциональных электрохимических покрытий

Малогабаритная СВЧ-плазмохимическая установка

Технология композиционно-модулированных многослойных структур на основе золота (серебра) и ультрадисперсного алмаза (УДА)

Программный комплекс моделирования процесса плазменного напыления покрытий

Распыляющий ионный источник

Ионный двухлучевой источник

Ионный источник на основе торцевого холловского ускорителя

Безканальный нейтрализатор ионного пучка

Технология ионно-ассистированного осаждения пленок

Несбалансированная магнетронная распылителительная система

Магнетронные распылительные устройства постоянного, импульсного тока для формирования тонких пленок

Установка для азотирования в плазме пульсирующего тока

Низковакуумное и ионно-ассистированное магнетронное распыление

Технология ионно-плазменного нанесения

Мини-фабрика заказных микроэлектронных изделий

Реактор комбинированного изотропно-анизотропного травления материальной электронной техники

Устройство вакуумного осаждения органических мультислойных пленок

Установка синтеза массивов углеродных нанотрубок «Нанофаб-1»

Технология быстрого производства систем на пластине (SoW)

Наноструктурные материалы на основе углеродных нанотрубок

Алюминиевые анодированные основания (подложки)

Многоуровневые системы межсоединений

Электрохимическая алюмооксидная технология (ЭЛАТ) создания изделий электронной техники

Алюминиевые многовыводные корпуса

Тонкопленочные температурные сенсоры

Нагревательные элементы на основе алюминия

Наноструктурированные функциональные слои для изделий бытовой и промышленной электроники

Микродисплей светоизлучающего типа для видеопроекционных устройств и систем персонального типа

Светоизлучающие диоды на основе наноструктурированного кремния

Технология формирования индикатора изображения на алюминии

Технология формирования кластеров германия в пленках поликристаллического кремния, легированных германием