Ионный источник на основе торцевого холловского ускорителя

НАЗНАЧЕНИЕ

Предназначен для предварительной очистки и активации поверхности подложек, ионного ассистирования при нанесении тонких пленок и формирования слоев методом непосредственного нанесения из пучка.

ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ

  • Ионно-ассистированное нанесение (IBAD) совместно с электронно-лучевыми и лазерными дуговыми испарителями, ионно-лучевыми распыляющими системами.
  • Формирование переходного слоя пленка – подложка (ионное перемешивание).
  • Ионная очистка и активация поверхности.
  • Прямое нанесение из пучка (DiBD).

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Напряжение разряда, В

60…200

Ток разряда, А

до 12

Энергия ионов, эВ

30…140

Ток ионного пучка, мА

до 1500

Рабочее давление, Па

0,008…0,06

Расход газа, мл/мин

9…60

Профиль ионного пучка

j =kl cosna

где n может изменяться от 1 до 3

Равномерность обработки подложкодержателя, мм

1000 ± 3 %

ПРЕИМУЩЕСТВА

  • Высокая адгезия слоев.
  • Возможность управления внутренними напряжениями в слое.
  • Низкая пористость наносимых слоев.
  • Управляемая стехиометрия при нанесении соединений.

КОНТАКТЫ

ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь

Телефон: +375 17 293-80-79  
Факс: +375 17 292-96-28
e-mail: szavad@bsuir.by

ДРУГИЕ РАЗРАБОТКИ НАПРАВЛЕНИЯ:

ГКР-активные подложки для повышения чувствительности спектроскопии комбинационного рассеяния света

Программно-управляемое оборудование импульсного электролиза для формирования многослойных функциональных электрохимических покрытий

Малогабаритная СВЧ-плазмохимическая установка

Технология композиционно-модулированных многослойных структур на основе золота (серебра) и ультрадисперсного алмаза (УДА)

Программный комплекс моделирования процесса плазменного напыления покрытий

Ионный источник для ионно-ассистированного нанесения слоев

Распыляющий ионный источник

Ионный двухлучевой источник

Безканальный нейтрализатор ионного пучка

Технология ионно-ассистированного осаждения пленок

Несбалансированная магнетронная распылителительная система

Магнетронные распылительные устройства постоянного, импульсного тока для формирования тонких пленок

Установка для азотирования в плазме пульсирующего тока

Низковакуумное и ионно-ассистированное магнетронное распыление

Технология ионно-плазменного нанесения

Мини-фабрика заказных микроэлектронных изделий

Реактор комбинированного изотропно-анизотропного травления материальной электронной техники

Устройство вакуумного осаждения органических мультислойных пленок

Установка синтеза массивов углеродных нанотрубок «Нанофаб-1»

Технология быстрого производства систем на пластине (SoW)

Наноструктурные материалы на основе углеродных нанотрубок

Алюминиевые анодированные основания (подложки)

Многоуровневые системы межсоединений

Электрохимическая алюмооксидная технология (ЭЛАТ) создания изделий электронной техники

Алюминиевые многовыводные корпуса

Тонкопленочные температурные сенсоры

Нагревательные элементы на основе алюминия

Наноструктурированные функциональные слои для изделий бытовой и промышленной электроники

Микродисплей светоизлучающего типа для видеопроекционных устройств и систем персонального типа

Светоизлучающие диоды на основе наноструктурированного кремния

Технология формирования индикатора изображения на алюминии

Технология формирования кластеров германия в пленках поликристаллического кремния, легированных германием