Магнетронные распылительные устройства постоянного, импульсного тока для формирования тонких пленок

НАЗНАЧЕНИЕ

Предназначены для нанесения тонкопленочных металлических и диэлектрических слоев.

Обеспечивают формирование тонкопленочных слоев в изделиях микроэлектроники, оптики, оптоэлектроники с использованием методов:

  • магнетронного распыления пониженного давления;
  • несбалансированного магнетронного распыления;
  • реактивного магнетронного распыления.

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Давление рабочего газа, Па 0,02…0,5
Рабочие газы инертные (Ar, Kr) или смесь инертного и реактивного газов (O2 , N2 , CxHy )
Разрядный ток, А до 15
Напряжение, В до 600
Размер мишени, мм до 700x150
Коэффициент несбалансированности 1…8
Устройства могут быть выполнены круглой и протяженной конфигурации

ПРЕИМУЩЕСТВА

  • Осуществляют sight-of-line deposition.
  • Реализовывают процессы формирования пленок с соотношением ион/атом до10 на поверхности конденсации с использованием прибора спектрального контроля и управления.
  • Формируют пленки окислов и нитридов с использованием смеси Ar/CxHy.
  • Формируют DLC слои оптического назначения толщиной более 1мкм на крупноформатные подложки.

КОНТАКТЫ

ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь

Телефон: +375 17 293-80-79  
Факс: +375 17 292-96-28
e-mail: szavad@bsuir.by

ДРУГИЕ РАЗРАБОТКИ НАПРАВЛЕНИЯ:

ГКР-активные подложки для повышения чувствительности спектроскопии комбинационного рассеяния света

Программно-управляемое оборудование импульсного электролиза для формирования многослойных функциональных электрохимических покрытий

Малогабаритная СВЧ-плазмохимическая установка

Технология композиционно-модулированных многослойных структур на основе золота (серебра) и ультрадисперсного алмаза (УДА)

Программный комплекс моделирования процесса плазменного напыления покрытий

Ионный источник для ионно-ассистированного нанесения слоев

Распыляющий ионный источник

Ионный двухлучевой источник

Ионный источник на основе торцевого холловского ускорителя

Безканальный нейтрализатор ионного пучка

Технология ионно-ассистированного осаждения пленок

Несбалансированная магнетронная распылителительная система

Установка для азотирования в плазме пульсирующего тока

Низковакуумное и ионно-ассистированное магнетронное распыление

Технология ионно-плазменного нанесения

Мини-фабрика заказных микроэлектронных изделий

Реактор комбинированного изотропно-анизотропного травления материальной электронной техники

Устройство вакуумного осаждения органических мультислойных пленок

Установка синтеза массивов углеродных нанотрубок «Нанофаб-1»

Технология быстрого производства систем на пластине (SoW)

Наноструктурные материалы на основе углеродных нанотрубок

Алюминиевые анодированные основания (подложки)

Многоуровневые системы межсоединений

Электрохимическая алюмооксидная технология (ЭЛАТ) создания изделий электронной техники

Алюминиевые многовыводные корпуса

Тонкопленочные температурные сенсоры

Нагревательные элементы на основе алюминия

Наноструктурированные функциональные слои для изделий бытовой и промышленной электроники

Микродисплей светоизлучающего типа для видеопроекционных устройств и систем персонального типа

Светоизлучающие диоды на основе наноструктурированного кремния

Технология формирования индикатора изображения на алюминии

Технология формирования кластеров германия в пленках поликристаллического кремния, легированных германием