Низковакуумное и ионно-ассистированное магнетронное распыление

НАЗНАЧЕНИЕ

Пониженное рабочее давление МРС позволяет реализовать метод ионно-ассистированного магнетронного распыления в замкнутой области (CF IBAM). Распыленный материал осаждается на подложке одновременно с независимой ионной бомбардировкой из ионного источника. Метод CF IBAM позволяет выполнять низкоэнергетичную (порядка 10 эВ) ионную бомбардировку подложки в течение роста пленки с помощью разряда МРС при одновременной ионной бомбардировке из ионного источника с энергиями до 100 эВ (при использовании источника на основе торцевого холловского ускорителя) или 1000 эВ (при использовании ионного источника на основе ускорителя с анодным слоем), что позволяет управлять свойствами пленок.

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МРС низкого давления с мишенью Ø 160 мм

Рабочее давление, Па

0,02…0,5

Рабочие газы

инертный или смесь инертного и реактивного газов (O2 , N2 , CxHy )

Ток разряда, А, В

до 6,0 при напряжении до 600

Скорость осаждения (Al-мишень), нм/с

до 25

Технические характеристики системы для ионно-ассистированного магнетронного распыления

Рабочее давление газа, Па

0,02…0,07

Рабочие газы

инертный или смесь инертного и реактивного газов (O2 , N2 , CxHy )

Мощность разряда, кВт

до 3,0

Размеры обрабатываемой подложки, мм

250

Ток ионного источника:

до 1,2 А с ионным источником на основе торцевого

холловского ускорителя;

до 200 мА с ионным источником на основе ускорителя с

анодным слоем

ПРЕИМУЩЕСТВА

  • Реализация процесса sight-of-line нанесения (т.е. минимизация межатомного взаимодействия при транспортировке распыленного потока).
  • Возможность формирования пленок с напряжениями сжатия.
  • Возможность распыления мишени ионами распыляемого материала (самораспыление).
  • Формирование пленок с уникальными физическими свойствами, соответствующими зоне T Thornton структурной зональной модели.
  • Возможность нанесения компонентных слоев методом реактивного магнетронного распыления без использования систем управления парциальным давлением реактивного газа.
  • Возможность использования МРС низкого давления совместно с ионными источниками разработанных типов.

КОНТАКТЫ

ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь

Телефон: +375 17 293-80-79  
Факс: +375 17 292-96-28
e-mail: szavad@bsuir.by

ДРУГИЕ РАЗРАБОТКИ НАПРАВЛЕНИЯ:

ГКР-активные подложки для повышения чувствительности спектроскопии комбинационного рассеяния света

Программно-управляемое оборудование импульсного электролиза для формирования многослойных функциональных электрохимических покрытий

Малогабаритная СВЧ-плазмохимическая установка

Технология композиционно-модулированных многослойных структур на основе золота (серебра) и ультрадисперсного алмаза (УДА)

Программный комплекс моделирования процесса плазменного напыления покрытий

Ионный источник для ионно-ассистированного нанесения слоев

Распыляющий ионный источник

Ионный двухлучевой источник

Ионный источник на основе торцевого холловского ускорителя

Безканальный нейтрализатор ионного пучка

Технология ионно-ассистированного осаждения пленок

Несбалансированная магнетронная распылителительная система

Магнетронные распылительные устройства постоянного, импульсного тока для формирования тонких пленок

Установка для азотирования в плазме пульсирующего тока

Технология ионно-плазменного нанесения

Мини-фабрика заказных микроэлектронных изделий

Реактор комбинированного изотропно-анизотропного травления материальной электронной техники

Устройство вакуумного осаждения органических мультислойных пленок

Установка синтеза массивов углеродных нанотрубок «Нанофаб-1»

Технология быстрого производства систем на пластине (SoW)

Наноструктурные материалы на основе углеродных нанотрубок

Алюминиевые анодированные основания (подложки)

Многоуровневые системы межсоединений

Электрохимическая алюмооксидная технология (ЭЛАТ) создания изделий электронной техники

Алюминиевые многовыводные корпуса

Тонкопленочные температурные сенсоры

Нагревательные элементы на основе алюминия

Наноструктурированные функциональные слои для изделий бытовой и промышленной электроники

Микродисплей светоизлучающего типа для видеопроекционных устройств и систем персонального типа

Светоизлучающие диоды на основе наноструктурированного кремния

Технология формирования индикатора изображения на алюминии

Технология формирования кластеров германия в пленках поликристаллического кремния, легированных германием