Программно-управляемое оборудование импульсного электролиза для формирования многослойных функциональных электрохимических покрытий

НАЗНАЧЕНИЕ

Предназначено для золочения и серебрения контактных деталей (корпусов ИМС, ленточных носителей, деталей реле и переключателей, печатных плат, волноводов).

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Программируемый источник нестационарного электролиза

Максимальный ток в импульсе, А

10; 50; 150

Максимальное напряжение, В

6; 12; 20

Длительность импульсов положительной и отрицательной полярностей и пауз между ними, с

0,02…9,98

Погрешность установки временных интервалов, %

±5

Число циклов программы

произвольное

Габаритные размеры, мм

570x400x1045

Специальная гальваническая ванна

Объем ванны, л

50

Полезный объем загрузки в барабан, л

0,35; 1,75

Скорость вращения барабана, об./мин

4…18

Скорость подъема и опускания барабана (подвески) в ванну, м/мин

36

Диапазон рабочих температур, °С

20…70

Погрешность поддержания температуры в ванне, °С

±2

Потребляемая электрическая мощность, кВт

6

Габаритные размеры, мм

1755x760x2020

ПРЕИМУЩЕСТВА

  • Получение многослойных структур в одной ванне программным изменением режима электролиза (амплитуды, длительности импульса и паузы).
  • Стабилизация токовых режимов с погрешностью 2–3 %.
  • Постоянное перемешивание электролита.
  • Подсчет количества электричества.
  • Возможность осаждения с высокой скоростью в барабане и на подвесках.
  • Экономия драгоценных металлов.

КОНТАКТЫ

ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь

Телефон: +375 17 293-80-79  
Факс: +375 17 292-96-28
e-mail: szavad@bsuir.by

ДРУГИЕ РАЗРАБОТКИ НАПРАВЛЕНИЯ:

ГКР-активные подложки для повышения чувствительности спектроскопии комбинационного рассеяния света

Малогабаритная СВЧ-плазмохимическая установка

Технология композиционно-модулированных многослойных структур на основе золота (серебра) и ультрадисперсного алмаза (УДА)

Программный комплекс моделирования процесса плазменного напыления покрытий

Ионный источник для ионно-ассистированного нанесения слоев

Распыляющий ионный источник

Ионный двухлучевой источник

Ионный источник на основе торцевого холловского ускорителя

Безканальный нейтрализатор ионного пучка

Технология ионно-ассистированного осаждения пленок

Несбалансированная магнетронная распылителительная система

Магнетронные распылительные устройства постоянного, импульсного тока для формирования тонких пленок

Установка для азотирования в плазме пульсирующего тока

Низковакуумное и ионно-ассистированное магнетронное распыление

Технология ионно-плазменного нанесения

Мини-фабрика заказных микроэлектронных изделий

Реактор комбинированного изотропно-анизотропного травления материальной электронной техники

Устройство вакуумного осаждения органических мультислойных пленок

Установка синтеза массивов углеродных нанотрубок «Нанофаб-1»

Технология быстрого производства систем на пластине (SoW)

Наноструктурные материалы на основе углеродных нанотрубок

Алюминиевые анодированные основания (подложки)

Многоуровневые системы межсоединений

Электрохимическая алюмооксидная технология (ЭЛАТ) создания изделий электронной техники

Алюминиевые многовыводные корпуса

Тонкопленочные температурные сенсоры

Нагревательные элементы на основе алюминия

Наноструктурированные функциональные слои для изделий бытовой и промышленной электроники

Микродисплей светоизлучающего типа для видеопроекционных устройств и систем персонального типа

Светоизлучающие диоды на основе наноструктурированного кремния

Технология формирования индикатора изображения на алюминии

Технология формирования кластеров германия в пленках поликристаллического кремния, легированных германием