Распыляющий ионный источник

НАЗНАЧЕНИЕ

Предназначен для формирования тонких пленок металлов, полупроводников и диэлектриков методом ионно-лучевого распыления и реактивного ионно-лучевого распыления.

Область применения

  • Ионно-лучевое распыление.
  • Реактивное ионно-лучевое распыление.

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ионного источника на основе ускорителя с анодным слоем с мишенью диаметра 80 мм

Ar, O2 , N2 , CH4 Анодное напряжение, В

450…6000

Энергия ионов, эВ

300…2000

Ток разряда, мА

до 300

Ток ионного пучка, мА

до 250

Рабочее давление, Па

0,01…0,06

Расход газа, мл/мин

до 40

Рабочие газы

Ar, O2 , N2 , CH4

Скорость нанесения слоев (Al), нм/c

до 0,8

Размеры, мм

Ø 307х296

Масса, кг

не более 12

Преимущества:

  • Ионный источник позволяет распылять металлические, полупроводниковые и диэлектрические (SiO2, TiO2, BN и т.д.) мишени.
  • В качестве источника магнитного поля используется электромагнит, что позволяет оптимизировать индукцию магнитного поля в канале ускорения и повысить эффективность формирования ионных пучков.
  • Оригинальная конструкция фланцевого крепления и съемного мишенного блока ионного источника обеспечивает легкий доступ оператора для смены мишеней и очистки ионных источников.
  • Для формирования многослойных структур в едином вакуумном цикле ионный источник может оснащаться вращаемым мишенедержателем с четырьмя мишенями из различных материалов.
  • Возможность переделки распыляющего ионного источника в ассистирующий путем замены деталей разрядной зоны и установки мишенного блока.
  • Использование смесей инертных и реактивных газов (кислород, азот и т.д.) позволяет получать компонентные пленки при распылении металлических мишеней.

КОНТАКТЫ

ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь

Телефон: +375 17 293-80-79  
Факс: +375 17 292-96-28
e-mail: szavad@bsuir.by

ДРУГИЕ РАЗРАБОТКИ НАПРАВЛЕНИЯ:

ГКР-активные подложки для повышения чувствительности спектроскопии комбинационного рассеяния света

Программно-управляемое оборудование импульсного электролиза для формирования многослойных функциональных электрохимических покрытий

Малогабаритная СВЧ-плазмохимическая установка

Технология композиционно-модулированных многослойных структур на основе золота (серебра) и ультрадисперсного алмаза (УДА)

Программный комплекс моделирования процесса плазменного напыления покрытий

Ионный источник для ионно-ассистированного нанесения слоев

Ионный двухлучевой источник

Ионный источник на основе торцевого холловского ускорителя

Безканальный нейтрализатор ионного пучка

Технология ионно-ассистированного осаждения пленок

Несбалансированная магнетронная распылителительная система

Магнетронные распылительные устройства постоянного, импульсного тока для формирования тонких пленок

Установка для азотирования в плазме пульсирующего тока

Низковакуумное и ионно-ассистированное магнетронное распыление

Технология ионно-плазменного нанесения

Мини-фабрика заказных микроэлектронных изделий

Реактор комбинированного изотропно-анизотропного травления материальной электронной техники

Устройство вакуумного осаждения органических мультислойных пленок

Установка синтеза массивов углеродных нанотрубок «Нанофаб-1»

Технология быстрого производства систем на пластине (SoW)

Наноструктурные материалы на основе углеродных нанотрубок

Алюминиевые анодированные основания (подложки)

Многоуровневые системы межсоединений

Электрохимическая алюмооксидная технология (ЭЛАТ) создания изделий электронной техники

Алюминиевые многовыводные корпуса

Тонкопленочные температурные сенсоры

Нагревательные элементы на основе алюминия

Наноструктурированные функциональные слои для изделий бытовой и промышленной электроники

Микродисплей светоизлучающего типа для видеопроекционных устройств и систем персонального типа

Светоизлучающие диоды на основе наноструктурированного кремния

Технология формирования индикатора изображения на алюминии

Технология формирования кластеров германия в пленках поликристаллического кремния, легированных германием