Реактор комбинированного изотропно-анизотропного травления материальной электронной техники

НАЗНАЧЕНИЕ

Предназначен для формирования контактных окон в диэлектрических слоях при создании СБИС.

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Характеристики реактора изотропного травления

Рабочее давление в камере, Па

10…100

Скорость травления термического SiО2 (в среде SF6), мкм/мин

0,2…0,3

Неоднородность травления, % не более

±5

Селективность травления SiО2/фоторезист

5…10

Температура подложки (типовое значение), °С

+85

ВЧ мощность (частота 13,56 МГц), Вт

до 700

Габариты реактора, мм

300x300x300

Характеристики реактора анизотропного травления

Рабочее давление в камере, Па

1…10

Скорость травления термического SiО2 (в среде хладон-218), мкм/мин

0,1…0,15

Неоднородность травления, % не более

±5

Селективность травления Si/SiО2

1/7…10

Температура подложки (типовое значение), °С

+85

ВЧ мощность (частота 13,56 МГц), Вт

до 700

Габариты реактора, мм

200

ПРЕИМУЩЕСТВА

Достоинствами конструкции являются простота, технологичность, малые габариты, а также возможность методом простой коммутации и изменением условий работы обеспечить переход из режима изотропного травления в режим анизотропного в одном вакуумном цикле.

КОНТАКТЫ

ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь

Телефон: +375 17 293-23-32  
Факс: +375 17 292-96-28
e-mail: minifab@bsuir.by

ДРУГИЕ РАЗРАБОТКИ НАПРАВЛЕНИЯ:

ГКР-активные подложки для повышения чувствительности спектроскопии комбинационного рассеяния света

Программно-управляемое оборудование импульсного электролиза для формирования многослойных функциональных электрохимических покрытий

Малогабаритная СВЧ-плазмохимическая установка

Технология композиционно-модулированных многослойных структур на основе золота (серебра) и ультрадисперсного алмаза (УДА)

Программный комплекс моделирования процесса плазменного напыления покрытий

Ионный источник для ионно-ассистированного нанесения слоев

Распыляющий ионный источник

Ионный двухлучевой источник

Ионный источник на основе торцевого холловского ускорителя

Безканальный нейтрализатор ионного пучка

Технология ионно-ассистированного осаждения пленок

Несбалансированная магнетронная распылителительная система

Магнетронные распылительные устройства постоянного, импульсного тока для формирования тонких пленок

Установка для азотирования в плазме пульсирующего тока

Низковакуумное и ионно-ассистированное магнетронное распыление

Технология ионно-плазменного нанесения

Мини-фабрика заказных микроэлектронных изделий

Устройство вакуумного осаждения органических мультислойных пленок

Установка синтеза массивов углеродных нанотрубок «Нанофаб-1»

Технология быстрого производства систем на пластине (SoW)

Наноструктурные материалы на основе углеродных нанотрубок

Алюминиевые анодированные основания (подложки)

Многоуровневые системы межсоединений

Электрохимическая алюмооксидная технология (ЭЛАТ) создания изделий электронной техники

Алюминиевые многовыводные корпуса

Тонкопленочные температурные сенсоры

Нагревательные элементы на основе алюминия

Наноструктурированные функциональные слои для изделий бытовой и промышленной электроники

Микродисплей светоизлучающего типа для видеопроекционных устройств и систем персонального типа

Светоизлучающие диоды на основе наноструктурированного кремния

Технология формирования индикатора изображения на алюминии

Технология формирования кластеров германия в пленках поликристаллического кремния, легированных германием