Технология ионно-ассистированного осаждения пленок

НАЗНАЧЕНИЕ

Предназначена для нанесения тонкопленочных слоев и многослойных структур ионно-ассистированного испарения.

ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ

Формирование тонкопленочных слоев изделий оптики и оптоэлектроники с использованием ионных источников различных типов:

  • источник ионов с анодным слоем;
  • торцевой холловский источник ионов;
  • источник ионов с двойным анодным слоем;
  • источник ионов с комбинированным анодным слоем.

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Размер обрабатываемого подложкодержателя, мм

до 1000

Неоднородность свойств формируемых пленок, %

не более 5

Ток пучка ионов до 1,5 А при энергии ионов, эВ

30…180

Ток пучка ионов до 90 мA при энергии ионов, эВ

300…2000

Рабочее давление, Па

0,01…0,2

ПРЕИМУЩЕСТВА

  • Формирование высокоадгезионных тонкопленочных структур оптического назначения при отсутствии операции нагрева подложек.
  • Возможность управлять стехиометрическим составом формируемых пленок.
  • Формирование тонкопленочных слоев повышенной плотности.

КОНТАКТЫ

ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь

Телефон: +375 17 293-80-79  
Факс: +375 17 292-96-28
e-mail: szavad@bsuir.by

ДРУГИЕ РАЗРАБОТКИ НАПРАВЛЕНИЯ:

ГКР-активные подложки для повышения чувствительности спектроскопии комбинационного рассеяния света

Программно-управляемое оборудование импульсного электролиза для формирования многослойных функциональных электрохимических покрытий

Малогабаритная СВЧ-плазмохимическая установка

Технология композиционно-модулированных многослойных структур на основе золота (серебра) и ультрадисперсного алмаза (УДА)

Программный комплекс моделирования процесса плазменного напыления покрытий

Ионный источник для ионно-ассистированного нанесения слоев

Распыляющий ионный источник

Ионный двухлучевой источник

Ионный источник на основе торцевого холловского ускорителя

Безканальный нейтрализатор ионного пучка

Несбалансированная магнетронная распылителительная система

Магнетронные распылительные устройства постоянного, импульсного тока для формирования тонких пленок

Установка для азотирования в плазме пульсирующего тока

Низковакуумное и ионно-ассистированное магнетронное распыление

Технология ионно-плазменного нанесения

Мини-фабрика заказных микроэлектронных изделий

Реактор комбинированного изотропно-анизотропного травления материальной электронной техники

Устройство вакуумного осаждения органических мультислойных пленок

Установка синтеза массивов углеродных нанотрубок «Нанофаб-1»

Технология быстрого производства систем на пластине (SoW)

Наноструктурные материалы на основе углеродных нанотрубок

Алюминиевые анодированные основания (подложки)

Многоуровневые системы межсоединений

Электрохимическая алюмооксидная технология (ЭЛАТ) создания изделий электронной техники

Алюминиевые многовыводные корпуса

Тонкопленочные температурные сенсоры

Нагревательные элементы на основе алюминия

Наноструктурированные функциональные слои для изделий бытовой и промышленной электроники

Микродисплей светоизлучающего типа для видеопроекционных устройств и систем персонального типа

Светоизлучающие диоды на основе наноструктурированного кремния

Технология формирования индикатора изображения на алюминии

Технология формирования кластеров германия в пленках поликристаллического кремния, легированных германием