Home / Research Areas / Plasma technologies and facilities, medical electronics

Valery Mishchenko

Acting Head of R&D Group "Impact of information and wave fields on biologic systems and objects"

PhD, Associate Professor

☏ +375 17 293 80 95, +375 17 293 22 19

FIELD OF EXPERTISE

Simulation and development of semiconductor and ultra-high frequency and extreme-high frequency range devices. Study of application of semiconductor devices and ultra-high frequency and extreme-high frequency range devices in communication, radar and medical systems.

TEACHING OF ACADEMIC DISCIPLINES

The technology of networking of information and communication systems.
Transmission methods with spectrum extension.
Telecommunications guiding systems.
Mobile radio communication and radio detection systems.
Information exchange systems in automotive technology.

EDUCATION

1978 - Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics.

SUMMARY OF POSITIONS HELD

1986 - present - Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics.

PUBLICATIONS, PATENTS AND OTHER SCIENTIFIC WORKS

More than 30 articles were published in highly rated scientific journals, 3 invention certificates, one patent for a utility model were received.

MAJOR PAPERS PUBLISHED IN 2015-2020 YEARS

В.Н. Мищенко и др. Моделирование выходных характеристик полупроводниковых приборов с использованием графена и гексогонального нитрида бора / Технические средства защиты информации: тезисы докладов ХVII Белорусско-российской научно – технической конференции, Минск, 9 июня 2020 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – c. 55.
Мищенко В.Н. и др. Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковом приборе c использованием гексогонального нитрида бора // XII Международная научно-техническая конференция “Квантовая электроника”, 18-22 ноября 2019 г. - БГУ, г. Минск. – с. 151-152.
Мищенко В.Н. и др. Интенсивности рассеивания носителей заряда в графене, расположенном на подложке из гексогонального нитрида бора. Доклады БГУИР. 2019;7-8(126): 141-148.
Mishchenka V. N. et al. Modelling of electron transfer processes in semiconductor structure with graphene // International Journal of Nanoscience, Vol. 18, No. 3&4 (2019), P. 1940093-1-1940093-3, World Scientific Publishing Company, ISSN: 0219-581X.
Mishchenko, V.N. Muravyev, V.V. Scattering intensities of the charge carriers in the graphene located on the hexagonal boron nitride substrate // BSUIR reports. – 2019. – № 7-8 (126). – С. 141-148.
Muravyov V.V., Mishchenko V.N. Modeling of the electron transfer processes in the semiconductor device using the boron hexagonal nitride // 12th International Scientific and Technical Conference Quantum ELECTRONICS (QE'2019), Minsk, BSU 18-22 November 2019 - p. 151.
В. N. Mishchenko, V.V. Muravyev, V.V. Investigation of the charge carrier transfer processes in the multilayer semiconductor structures using the graphene / V.V. Muravyev, V.N. Mishchenko // Technical means of information protection: abstracts of XVII Belarusian-Russian scientific and technical conference, Minsk, 11 June 2019 / Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics; edited by A.A. Mishchenko. Editor: T.V. Borbotko [et al.]. - Belarus State University of Informatics and Radioelectronics; edited by: T.V. Borbotko [et al.]. Minsk, 2019. - P.52.
Муравьев В.В., Мищенко В.Н. “Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из карбида кремния” - Доклады БГУИР.- N 2 (104). - С. 53-57. - 2017 г.
Муравьев В.В., Мищенко В.Н. Моделирование транзисторных структур с использованием монослоя графена // Тезисы докладов XV Белорусско-российская научно-техническая конференция “Технические средства защиты информации”, БГУИР, г. Минск, 6 июня 2017 г., с. 95.
Муравьев В.В., Мищенко В.Н. Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из графена // 11-я Международная научно-техническая конференция “КВАНТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА” (КЭ'2017), г. Минск, БГУ, 13–17 ноября 2017 г., с. 128-129.
Муравьев В.В., Мищенко В.Н. “Определение интенсивностей рассеивания электронов в одиночном слое графена” - Доклады БГУИР.- N 6 (108). - С. 42-47. - 2017 г.