Igor Abramov 

Acting Head of R&D Lab "Physics of micro- and nanoelectronic devices"                ☏  +375 17 293 88 77 🖂   nanodev@bsuir.edu.by                          Google Scholar profile

FIELD OF EXPERTISE

Physics and modeling of instrument structures and circuits of micro- and nanoelectronics; electronic interpretation of the human brain functioning.

TEACHING OF ACADEMIC DISCIPLINES

• Quantum Mechanics and Statistical physics.
• Semiconductor devices and IC elements.
• Computer-aided design systems for integrated circuits.
• Computer modeling, calculation and design of micro - and nanoelectronics products.
• Modeling of micro-and nanoelectronics devices (for masters' degree students).
• Elements of nanoelectronics (for masters' degree students).
• Registration of the results of scientific and engineering activities (for masters' degree students).

EDUCATION

1999 – Full Professor in Electronics and Microelectronics specialty. 
1993 – DSc degree  in Physics and Mathematics.
1982 – PhD degree in Physics and Mathematics.
1976 – Higher education in Radio Physics and Electronics, graduated with honors from Belarusian State University.

SUMMARY OF POSITIONS HELD

1997 – present – Acting Head of R&D Lab 4.1 "Physics of micro- and nanoelectronic devices", BSUIR.
1994 – present – Professor of Microelectronics Department (renamed into Micro- and Nanoelectronics Department in 2005), BSUIR.
1983 – Senior Researcher, Minsk State Radioengineering Institute (renamed into BSUIR in 1993).
1976 – Junior Researcher, Belarusian State University.

PROFESSIONAL ACHIEVEMENTS

• the theory of physical processes in a number of device structures of micro- and nanoelectronics, namely: I²L elements; single-electron transistors, chains and matrices of tunnel junctions; resonant tunneling structures and circuits; interference transistors; quantum wires; nanostructures operating on the principle of coherent transport with self-organization; devices including carbon nanotubes and graphene
• the methodology of multidimensional simulation of physical processes in elements and fragments of silicon ICs, taking into account the effects of heavy doping, self-heating, and ambient temperature
• hierarchies of methods of numerical simulation and models of elements of silicon VLSI and ULSI
• models of device structures of nanoelectronics, operating on the effects of single-electron, resonant tunneling and quantum interference
• methodology for the automatic synthesis of compact equivalent circuits of semiconductor devices, device structures of micro- and nanoelectronics
• principles of systems development for simulation of semiconductor devices  and micro- and nanoelectronics devices
• a full electronic interpretation of the human brain functioning

PROFESSIONAL MEMBERSHIPS

PUBLICATIONS

An author of about 400 publications, including 7 monographs, 6 textbooks, and over 200 articles in peer-reviewed scientific journals.

MAJOR PAPERS PUBLISHED IN 2015-2020 

• Абрамов И.И. Перспективы и проблемы создания сверхразума. Часть II // Нано- и микросистемная техника. – 2020. – Т.22, № 2. – С. 112-120.
• Абрамов И.И. Перспективы и проблемы создания сверхразума. Часть I // Нано- и микросистемная техника. – 2020. – Т.22, № 1. – С. 46-56.
• Абрамов И. И., Коломейцева Н. В., Лабунов В. А., Романова И. А., Щербакова И. Ю. Численное моделирование трехбарьерных резонансно-туннельных диодов на основе графена // Ural Radio Engineering Journal. – 2019. – Т.3, №4. – C. 343-355.
• Абрамов И.И. Сознание человека, или возможности электроники. Часть III // Нано- и микросистемная техника. – 2019. – Т.21, № 9. – С. 555-574.
• Abramov I. I., Labunov V. A., Kolomejtseva N. V., Romanova I. A., Shcherbakova I. Y. Simulation of graphene field-effect transistors and resonant tunneling diodes based on carbon nanomaterials // Proc. SPIE. – 2019. – Vol. 11022. – P. 110220F-1-11.
• Абрамов И.И., Коломейцева Н.В., Лабунов В.А., Романова И.А., Щербакова И. Ю. Моделирование передаточных характеристик двухзатворных полевых графеновых транзисторов // Нано- и микросистемная техника. – 2018. – T.20, N 11. – С. 643-650.
• Абрамов И.И., Коломейцева Н.В., Лабунов В.А., Романова И.А., Щербакова И. Ю. Моделирование полевых графеновых транзисторов с одним и двумя затворами в различных режимах функционирования // Нанотехнологии, разработка, применение: XXI век. – 2018. – №3. – C. 16-24.
• Абрамов И.И. Сознание человека, или возможности электроники. Часть II // Нано- и микросистемная техника. – 2018. – T.20, № 6. – С. 368-384.
• Абрамов И.И. Сознание человека, или возможности электроники. Часть I // Нано- и микросистемная техника. – 2018. – Т.20, № 5. – С. 308-320.
• Абрамов И.И., Коломейцева Н.В., Лабунов В.А., Романова И.А. Моделирование полевых графеновых транзисторов с одним и двумя затворами // Нано- и микросистемная техника. – 2017. – T.19, № 12. – P. 714-721.
• Абрамов И.И., Коломейцева Н.В., Лабунов В.А., Романова И.А. Моделирование резонансно-туннельных приборных структур на основе углеродных наноматериалов // Нанотехнологии, разработка, применение: XXI век. – 2017. – T. 9., №3– C. 3-11.
• Abramov I. I., Labunov V. A., Kolomejtseva N. V., Romanova I. A. Simulation of field-effect transistors and resonant tunneling diodes based on graphene // Proc. SPIE. – 2016. – Vol. 10224. – P. 102240V-1-10.
• Абрамов И.И. Перспективы использования наноэлектроники, наноматериалов и нанотехнологий в исследовании и медицине мозга человека // Нано- и микросистемная техника. – 2016. – T.18, №1. – C. 49-64.
• Абрамов И.И. Основы моделирования элементов микро- и наноэлектроники. Монография. LAP LAMBERT Academic Publishing, Saarbrücken, Germany, 2016. 444 с.
• Абрамов И.И., Коломейцева Н.В., Лабунов В.А., Романова И.А. Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе графена на подложках различного типа // Нано- и микросистемная техника. – 2015. – № 11. – С. 3-10.