Главная / Продукция / Микроэлектроника и нанотехнологии

ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ КЛАСТЕРОВ ГЕРМАНИЯ В ПЛЕНКАХ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННЫХ ГЕРМАНИЕМ



 

 

 

 

 

 

НАЗНАЧЕНИЕ

Технология формирования кластеров германия в пленках поликристаллического кремния предназначена для изготовления затворов МДП-транзисторов энергонезависимых ЭППЗУ, МДП-транзисторов широкого назначения, солнечных элементов и других электронных приборов на основе поликристаллического кремния.

 

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Температура осаждения, ºС                                                                                                           520…540

Общее давление газовой смеси, Па

 30…35
Парциальное давление моносилана, Па 28…33
Объемное соотношение GeH4/SiH4 = 0,001…0,003
Время осаждения, мин 10…50
Высота нанокластеров, нм 1...20
Латеральные размеры, нм 20...240


 

ПРЕИМУЩЕСТВА

  • исключается полный пробой подзатворного диэлектрика, повышается надежность изделий электронной техники

 

РАЗРАБОТЧИК

НИЛ 4.5 «Нанофотоника»

 

КОНТАКТЫ

ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь
☏  +375 17 293 88 75
🖷  +375 17 390 96 28
🖂   nik@nano.bsuir.edu.by

 

ДРУГИЕ РАЗРАБОТКИ НАПРАВЛЕНИЯ

НАНОТЕХНОЛОГИИ

МИКРОЭЛЕКТРОНИКА