Абрамов Игорь Иванович
И.о. заведующего НИЛ "Физика приборов микро- и наноэлектроники" доктор физико-математических наук, профессор ☏ +375 17 293 88 77 |
ОБЛАСТЬ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
Физика и моделирование приборных структур и схем микро- и наноэлектроники; электронная интерпретация функционирования мозга человека.
ЧИТАЕМЫЕ УЧЕБНЫЕ ДИСЦИПЛИНЫ
- Квантовая механика и статистическая физика.
- Полупроводниковые приборы и элементы ИМС.
- Системы автоматизированного проектирования интегральных микросхем.
- Компьютерное моделирование, расчет и проектирование изделий микро- и наноэлектроники.
- Моделирование приборов микро- и наноэлектроники.
- Элементы наноэлектроники.
- Оформление результатов научной и инженерной деятельности.
ОБРАЗОВАНИЕ
Высшее. В 1976 году с отличием физический факультет БГУ по специальности «Радиофизика и электроника».
ТРУДОВАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ
1999 год – присвоено ученое звание профессора по специальности «Электроника и микроэлектроника».
с 1997 года – по настоящее время– по совместительству заведует научно-исследовательской лабораторией «Физика приборов микро- и наноэлектроники» БГУИР.
с 1994 года – по настоящее время – профессор кафедры микроэлектроники (с 2005 года – микро- и наноэлектроники) по настоящее время.
1993 год – защита диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук.
1983 год – старший научный сотрудник МРТИ.
1982 год – защита диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.
1976 год – младший научный сотрудник в БГУ.
ПРОФЕССИОНАЛЬНЫЕ ДОСТИЖЕНИЯ
Наиболее существенными научными результатами проведенных исследований являются:
- теории физических процессов в ряде приборных структур и устройств микро- и наноэлектроники, а именно: И2Л-элементах; одноэлектронных транзисторах, цепочках и матрицах туннельных переходов; резонансно-туннельных структурах и схемах; интерференционных транзисторах; квантовых проволоках; наноструктурах, функционирующих на принципе когерентного транспорта с самоорганизацией; устройствах, включающих углеродные нанотрубки и графен;
- методология многомерного моделирования физических процессов в элементах и фрагментах кремниевых ИС с учетом эффектов сильного легирования, саморазогрева и температуры окружающей среды;
- иерархии методов численного моделирования и моделей элементов кремниевых сверхбольших и ультрабольших ИС;
- модели приборных структур наноэлектроники, функционирующих на эффектах одноэлектронного, резонансного туннелирования и квантовой интерференции;
- методология автоматического синтеза компактных эквивалентных схем полупроводниковых приборов, приборных структур микро- и наноэлектроники;
- принципы построения систем моделирования приборных структур и устройств микро- и наноэлектроники;
- полная электронная интерпретация функционирования мозга человека.
ЧЛЕНСТВО В НАУЧНЫХ СООБЩЕСТВАХ / ОРГАНИЗАЦИЯХ
- Член экспертного совета БГУИР.
- Член НТС НИЧ БГУИР.
- Член 2 советов по защите докторских диссертаций в Республике Беларусь и Российской Федерации.
- Член оргкомитета и программного комитетов четырех международных конференций.
- Член редакционного совета журнала «Доклады БГУИР».
- Член редколлегий 5 научно-технических журналов Российской Федерации.
НАУЧНЫЕ СТАТЬИ, ПАТЕНТЫ И ДРУГИЕ НАУЧНЫЕ ТРУДЫ
Автор около 400 публикаций, в том числе 7 монографий, 6 учебных пособий и более 200 статей в рецензируемых научных журналах.
НАИБОЛЕЕ ЗНАЧИМЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ЗА 2015-2020 ГОДЫ
- Абрамов И.И. Перспективы и проблемы создания сверхразума. Часть II // Нано- и микросистемная техника. – 2020. – Т.22, № 2. – С. 112-120.
- Абрамов И.И. Перспективы и проблемы создания сверхразума. Часть I // Нано- и микросистемная техника. – 2020. – Т.22, № 1. – С. 46-56.
- Абрамов И. И., Коломейцева Н. В., Лабунов В. А., Романова И. А., Щербакова И. Ю. Численное моделирование трехбарьерных резонансно-туннельных диодов на основе графена // Ural Radio Engineering Journal. – 2019. – Т.3, №4. – C. 343-355.
- Абрамов И.И. Сознание человека, или возможности электроники. Часть III // Нано- и микросистемная техника. – 2019. – Т.21, № 9. – С. 555-574.
- Abramov I. I., Labunov V. A., Kolomejtseva N. V., Romanova I. A., Shcherbakova I. Y. Simulation of graphene field-effect transistors and resonant tunneling diodes based on carbon nanomaterials // Proc. SPIE. – 2019. – Vol. 11022. – P. 110220F-1-11.
- Абрамов И.И., Коломейцева Н.В., Лабунов В.А., Романова И.А., Щербакова И. Ю. Моделирование передаточных характеристик двухзатворных полевых графеновых транзисторов // Нано- и микросистемная техника. – 2018. – T.20, N 11. – С. 643-650.
- Абрамов И.И., Коломейцева Н.В., Лабунов В.А., Романова И.А., Щербакова И. Ю. Моделирование полевых графеновых транзисторов с одним и двумя затворами в различных режимах функционирования // Нанотехнологии, разработка, применение: XXI век. – 2018. – №3. – C. 16-24.
- Абрамов И.И. Сознание человека, или возможности электроники. Часть II // Нано- и микросистемная техника. – 2018. – T.20, № 6. – С. 368-384.
- Абрамов И.И. Сознание человека, или возможности электроники. Часть I // Нано- и микросистемная техника. – 2018. – Т.20, № 5. – С. 308-320.
- Абрамов И.И., Коломейцева Н.В., Лабунов В.А., Романова И.А. Моделирование полевых графеновых транзисторов с одним и двумя затворами // Нано- и микросистемная техника. – 2017. – T.19, № 12. – P. 714-721.
- Абрамов И.И., Коломейцева Н.В., Лабунов В.А., Романова И.А. Моделирование резонансно-туннельных приборных структур на основе углеродных наноматериалов // Нанотехнологии, разработка, применение: XXI век. – 2017. – T. 9., №3– C. 3-11.
- Abramov I. I., Labunov V. A., Kolomejtseva N. V., Romanova I. A. Simulation of field-effect transistors and resonant tunneling diodes based on graphene // Proc. SPIE. – 2016. – Vol. 10224. – P. 102240V-1-10.
- Абрамов И.И. Перспективы использования наноэлектроники, наноматериалов и нанотехнологий в исследовании и медицине мозга человека // Нано- и микросистемная техника. – 2016. – T.18, №1. – C. 49-64.
- Абрамов И.И. Основы моделирования элементов микро- и наноэлектроники. Монография. LAP LAMBERT Academic Publishing, Saarbrücken, Germany, 2016. 444 с.
- Абрамов И.И., Коломейцева Н.В., Лабунов В.А., Романова И.А. Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе графена на подложках различного типа // Нано- и микросистемная техника. – 2015. – № 11. – С. 3-10.