НИЛ 4.4 «КОМПЬЮТЕРНОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ»



 

 

 

 

 

 

 

 

НАПРАВЛЕНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ

  • теоретические исследования, компьютерное моделирование и проектирование технологических процессов изготовления полупроводниковых приборов, интегральных датчиков и элементов интегральных микросхем (ИМС), в том числе функционирующих в условиях деструктивных воздействий (экстремальные температуры, ионизирующие излучения и др.)
  • исследование и моделирование методами молекулярной динамики и квантовой механики (из первых принципов) характеристик перспективных материалов и структур, в том числе наноразмерных и биологических объектов, с использованием кластерных аппаратных средств (суперкомпьютеров)
  • проектирование заказных (аналоговых, цифровых и смешанных) ИМС; подготовка проектов для изготовления на базе и с использованием субмикронных технологических процессов ведущих мировых foundry-производителей
  • разработка математических методов, алгоритмов и специального программного обеспечения, предназначенных для проведения статистического анализа и оптимизации параметров технологических процессов и приборных структур в сквозном цикле проектирования ИМС, производственных процессов, а также методов экстракции и верификации параметров SPICE-моделей полупроводниковых приборов

 

УСЛУГИ

  • совместные фундаментальные и прикладные исследования, образовательные проекты с зарубежными научно-исследовательскими и учебными организациями
  • подготовка и обучение специалистов высшей научной квалификации (магистратура, аспирантура) из стран ближнего и дальнего зарубежья
  • внедрение результатов фундаментальных и прикладных разработок в учебный процесс

 

ПРОЕКТЫ ЗА 2020 – 2023 ГОДЫ

Научно-технические проекты выполняются в рамках международных и национальных программ, в том числе совместно с партнерами.

1. Абсорбция террагерцевого излучения квазидвумерными магнитными материалами на основе MAX3 халькогенидов переходных металлов для устройств наноплазмоники.

2. Структурные, электронные и магнитные свойства иттрий-алюминиевых и иттрий-железных гранатов и перовскитов, легированных неодимом.

3. Методы проектирования и оптимизации конструктивных решений полупроводниковых микростриповых детекторов и сенсорных систем на их основе.

4. Абсорбционные свойства материалов в Ван-дер-Ваальсовых гетероструктурах, используемых в качестве конструктивных элементов прозрачной и гибкой электроники.

5. Разработка методов проектирования и оптимизации программируемых логических интегральных схем на основе статической памяти с произвольным доступом.

 

ИНФОРМАЦИЯ О РУКОВОДИТЕЛЕ

Ловшенко Иван Юрьевич
заведующий лабораторией
☏  +375 17 293 88 90
🖂   lovshenko@bsuir.by
персональная страница

 

ИНФОРМАЦИЯ О НАУЧНОМ РУКОВОДИТЕЛЕ

Стемпицкий Виктор Романович
кандидат технических наук, доцент
☏  +375 17 293 84 24
🖂   vstem@bsuir.by
персональная страница

 

КОНТАКТЫ ПОДРАЗДЕЛЕНИЯ

ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь
☏  +375 17 293 84 09
🖷  +375 17 390 96 28
🖂   lovshenko@bsuir.by
✎  ул. П. Бровки, 6, каб. 119

 

Presentation «Research in the field of computer simulation of the perspective materials properties, technological processes and devices of micro- and nanoelectronics»