НИС 5.4 «МНОГОКОМПОНЕНТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ»

• выращивание объемных монокристаллов соединений типа А^I B^III C^VI₂  (где А^I — Сu, Ag; B^III – Al, Ga, In; C^VI₂ – S, Se, Te): A^II B^III C^VI₄ (A^II – Mn, Fe; B^III – Ga, In; C^VI₄ – S, Se, Te);  А^I₂ B^II C^IV D^VI₄ (А^I – Cu, Ag; B^II -Zn; C^IV -Ge, Sn; D^VI –S, Se) из расплава (методы Бриджмена и Бриджмена-Стокбаргера) и из газовой фазы (метод химических газотранспортных реакций);
• исследование оптических, электрических, теплофизических и магнитных свойств объемных монокристаллов соединений.

ПРОЕКТЫ ЗА 2020 – 2022 ГОДЫ

Научно-технические проекты выполняются в рамках международных и национальных программ, в том числе совместно с партнерами.

1. Выращивание монокристаллов соединений In2S3, AgIn5S8 и твердых растворов (In2S3)1-x(AgIn5S8)x: исследование структурных, оптических и электрических свойств

2. Прогнозирование эксплуатационной надежности мощных полупроводниковых приборов с использованием методов и алгоритмов машинного обучения.

3. Статистические модели надёжности прикладных программных средств и их использование для оценки ожидаемой безотказности компьютерных программ на ранних этапах разработки.

4. Синтез, структурные и физические свойства полупроводниковых материалов AgIn5S8-In2S3.

5. Структурные и теплофизические свойства полупроводниковых твердых растворов (FeIn2S4)1-x?(In2S3)x для перспективных элементов микроэлектроники.

6. Формирование и физические характеристики тонких пленок сульфида индия (In2S3) и сульфида кадмия (CdS) для оптоэлектронных устройств.

7. Разработка оптимальных температурных режимов выращивания монокристаллов соединений Cu2ZnGeS4, Сu2ZnGeSe4 и твердых растворов Cu2ZnGe(SxSe1-x)4, определение их состава и кристаллической структуры.

КОНТАКТЫ ПОДРАЗДЕЛЕНИЯ