Мищенко Валерий Николаевич

И.о. руководителя НИГ "Воздействие информационно-волновых полей на биологические системы и объекты" кандидат технических наук, доцент ☏  +375 17 293 80 95, +375 17 293 22 19 🖂   mishchenko@bsuir.by      личный профиль Research Gate публикации в репозитории БГУИР

ОБЛАСТЬ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

• Моделирование и разработка полупроводниковых приборов и устройств диапазонов СВЧ и КВЧ.
• Изучение возможности применения полупроводниковых приборов и устройств диапазонов СВЧ и КВЧ в системах связи, радиолокации и медицине.

ЧИТАЕМЫЕ УЧЕБНЫЕ ДИСЦИПЛИНЫ

• Технологии сетевого взаимодействия инфокоммуникационных систем.
• Методы передачи с расширением спектра.
• Направляющие системы телекоммуникаций.
• Системы подвижной радиосвязи и радиоопределения.
• Системы обмена информации в автомобильной технике.

ОБРАЗОВАНИЕ

Высшее. В 1978 году окончил Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники.

ТРУДОВАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ

с 1986 года – Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники.

НАУЧНЫЕ СТАТЬИ, ПАТЕНТЫ И ДРУГИЕ НАУЧНЫЕ ТРУДЫ

Опубликовано более 30 статей в высокорейтинговых научных журналах, получено 3 свидетельства на изобретения, один патент на полезную модель.

НАИБОЛЕЕ ЗНАЧИМЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ЗА 2015-2020 ГОДЫ

• В.Н. Мищенко и др. Моделирование выходных характеристик полупроводниковых приборов с использованием графена и гексогонального нитрида бора / Технические средства защиты информации: тезисы докладов ХVII Белорусско-российской научно – технической конференции, Минск, 9 июня 2020 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – c. 55.
• Мищенко В.Н. и др. Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковом приборе c использованием гексогонального нитрида бора // XII Международная научно-техническая конференция “Квантовая электроника”, 18-22 ноября 2019 г. - БГУ, г. Минск. – с. 151-152.
• Мищенко В.Н. и др. Интенсивности рассеивания носителей заряда в графене, расположенном на подложке из гексогонального нитрида бора. Доклады БГУИР. 2019;7-8(126): 141-148.
• Mishchenka V. N. et al. Modelling of electron transfer processes in semiconductor structure with graphene // International Journal of Nanoscience, Vol. 18, No. 3&4 (2019), P. 1940093-1-1940093-3, World Scientific Publishing Company, ISSN: 0219-581X.
• Mishchenko, V.N. Muravyev, V.V. Scattering intensities of the charge carriers in the graphene located on the hexagonal boron nitride substrate // BSUIR reports. – 2019. – № 7-8 (126). – С. 141-148.
• Muravyov V.V., Mishchenko V.N. Modeling of the electron transfer processes in the semiconductor device using the boron hexagonal nitride // 12th International Scientific and Technical Conference Quantum ELECTRONICS (QE'2019), Minsk, BSU 18-22 November 2019 - p. 151.
• В. N. Mishchenko, V.V. Muravyev, V.V. Investigation of the charge carrier transfer processes in the multilayer semiconductor structures using the graphene / V.V. Muravyev, V.N. Mishchenko // Technical means of information protection: abstracts of XVII Belarusian-Russian scientific and technical conference, Minsk, 11 June 2019 / Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics; edited by A.A. Mishchenko. Editor: T.V. Borbotko [et al.]. - Belarus State University of Informatics and Radioelectronics; edited by: T.V. Borbotko [et al.]. Minsk, 2019. - P.52. 
• Муравьев В.В., Мищенко В.Н. “Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из карбида кремния” - Доклады БГУИР.- N 2 (104). - С. 53-57. - 2017 г.
• Муравьев В.В., Мищенко В.Н. Моделирование  транзисторных структур с использованием монослоя графена // Тезисы докладов XV Белорусско-российская научно-техническая конференция “Технические средства защиты информации”, БГУИР, г. Минск, 6 июня 2017 г., с. 95. 
• Муравьев В.В., Мищенко В.Н. Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из графена // 11-я Международная научно-техническая конференция “КВАНТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА” (КЭ'2017), г. Минск, БГУ, 13–17 ноября 2017 г., с. 128-129. 
• Муравьев В.В., Мищенко В.Н.  “Определение интенсивностей рассеивания электронов в одиночном слое графена” - Доклады БГУИР.- N 6 (108). - С. 42-47. - 2017 г.