ПЛОСКИЙ ИСТОЧНИК ИНДУКТИВНО-СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЫ ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТИ
|
|
|
|
НАЗНАЧЕНИЕ
Предназначен для формирования технологической плазмы высокой плотности инертных и химически активных газов.
ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ
В микро-, нано-, оптоэлектронике и оптике есть ряд ключевых процессов, которые требуют использования плазмы высокой плотности:
- очистка и активация поверхности,
- модификация поверхности (окисление, нитридизация, карбидизация),
- химическое осаждение из паро-газовой фазы в плазме высокой плотности,
- (HDP-CVD, ICP-CVD, PECVD),
- плазмохимическое травление в плазме высокой плотности (RIE, ICP-RIE),
- глубокое размерное травление (DRIE),
- травление фоторезиста в кислородной плазме.
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
| Тип разряда | ВЧ индукционный |
| Частота генератора для возбуждения, МГц | 13,56 |
| Минимальная ВЧ мощность, Вт | от 300 |
| Максимальная ВЧ мощность, кВт | до 2 |
|
Диаметр зоны генерации плазмы, мм |
более 200
|
| Рабочее давление, Па | 0,05…10 |
| Вид газа |
Ar, О2, N2
и другие реактивные
не образующие при
осаждении низкоомные
покрытия
|
| Тип охлаждения |
водяной
|
|
Диаметр фланца для установки, мм
|
260
|
MАТЕРИАЛЫ
РАЗРАБОТЧИК
Центр междисциплинарных исследований "Центр плазменного и биомедицинского инжиниринга"
КОНТАКТЫ
Осипов Анатолий Николаевич
начальник центра и заведующий ОЛ
кандидат технических наук, доцент
☏ +375 17 293 86 41
🖂 osipov@bsuir.by
персональная страница