Главная / Продукция / Микроэлектроника и нанотехнологии

СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ НА ОСНОВЕ НАНОСТРУКТУРИРОВАННОГО КРЕМНИЯ



 

 

 

 

 

 

НАЗНАЧЕНИЕ

Светоизлучающие диоды на основе наноструктурированного кремния предназначены для внутричиповых оптических межсоединений интегральных микросхем, а также для микродисплейных устройств, изготовляемых по кремниевой технологии.

 

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Диапазон светоизлучения, нм                                                                                                             450…1100

Эффективность излучения:
режим непрерывного светоизлучения, %
импульсный режим, %

 0,4
1,2
Быстродействие (время задержки светового сигнала), нс 2
Стабильность светоизлучения, часы, не более 103
Минимальный размер светоизлучающих элементов, мкм 1
Диапазон рабочих температур, ºС -50...+200


 

ПРЕИМУЩЕСТВА

  • совместимость технологии изготовления светоизлучающих диодов с кремниевой технологией
  • высокое быстродействие светоизлучающих диодов
  • стабильность светоизлучения во времени
  • возможность масштабирования светоизлучающих элементов до 1 мкм
  • низкая трудоемкость технологии изготовления светоизлучающих диодов

 

РАЗРАБОТЧИК

НИЛ 4.6 "Интегрированные микро- и наносистемы"

 

КОНТАКТЫ

ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь
☏  +375 17 293 88 69
🖷  +375 17 390 96 28
🖂   serg@nano.bsuir.edu.by

 

ДРУГИЕ РАЗРАБОТКИ НАПРАВЛЕНИЯ

НАНОТЕХНОЛОГИИ

МИКРОЭЛЕКТРОНИКА