АССИСТИРУЮЩИЙ ИОННЫЙ ИСТОЧНИК НА ОСНОВЕ УСКОРИТЕЛЯ С АНОДНЫМ СЛОЕМ ASIS-002



 

 

 

 

 

 

НАЗНАЧЕНИЕ

Ассистирующий ионный источник на основе ускорителя с анодным слоем ASIS-002 предназначен для предварительной ионной очистки подложек, ионного травления, ионного ассистирования при нанесении тонких пленок и формирования слоев методом непосредственного нанесения из ионного пучка.

 

ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ

  • ионно-ассистированное нанесение (IBAD) совместно с электронно-лучевыми, лазерными и дуговыми испарителями, ионно-лучевыми распыляющими системами
  • формирование переходного слоя пленка-подложка (ионное перемешивание)
  • предварительная ионная очистка 
  • ионно-лучевое травление с возможностью использования химические активных газов
  • прямое нанесение из пучка (DiBD)
  • реактивное ионно-лучевое распыление
  • ионно-асситированное магнетронное распыление (IBAM)

 

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Анодное напряжение DC, В                                                                                                            450...6000
Энергия ионов, эВ 150...2000
Ток ионного пучка, мА до 200
Рабочее давление, Па 0,01...0,06
Расход газа, мл/мин до 40
Рабочие газы Ar, O2, N2, углеводороды и т.д.
Размеры, мм Ø 298х175
Масса, кг, не более 9


ПРЕИМУЩЕСТВА

  • в качестве источника магнитного поля используется электромагнит, что позволяет оптимизировать индукцию магнитного поля в канале ускорения и повысить эффективность формирования ионных пучков
  • возможность изменения угла наклона ионного пучка путем замены деталей разрядной зоны ионного источника
  • возможность переделки ассистирующего ионного источника в распыляющий путем замены деталей разрядной зоны ионного источника и установки мишенного блока
  • в конструкции ионного источника предусмотрена возможность установки RF/DC магнетрона, что позволяет реализовывать метод ионно-ассистированного магнетронного распыления (IBAM)
  • ионный источник может быть дооснащен безнакальным нейтрализатором ионного пучка
  • оригинальная конструкция фланцевого крепления ионного источника обеспечивает легкий доступ оператора для очистки ионного источника
  • применение ионного ассистирования позволяет увеличить адгезию наносимых слоев, снизить пористость наносимых слоев, управлять внутренными напряжениями в слое и стехиометрией при нанесении соединений

 

РАЗРАБОТЧИК

Центр 9.1 "Электронные технологии и техническая диагностика технологических сред и твердотельных структур"

 

КОНТАКТЫ

ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь
☏  +375 17 293 80 79, +375 17 293 88 35 
🖷  +375 17 293 88 35
🖂   svad@bsuir.by ; szavad@bsuir.by
🌐  plasma.bsuir.by

 

ДРУГИЕ РАЗРАБОТКИ НАПРАВЛЕНИЯ

ИОННЫЕ ИСТОЧНИКИ 

ПЛАЗМЕННЫЕ ИСТОЧНИКИ ДЛЯ НЕЙТРАЛИЗАЦИИ ИОННЫХ ПУЧКОВ

МАГНЕТРОННЫЕ РАСПЫЛИТЕЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ

СИСТЕМЫ ДИАГНОСТИКИ ПАРАМЕТРОВ

ПРОГРАММНЫЙ КОМПЛЕКС "DEPOSITION"