АССИСТИРУЮЩИЙ ИОННЫЙ ИСТОЧНИК НА ОСНОВЕ УСКОРИТЕЛЯ С АНОДНЫМ СЛОЕМ ASIS-002
|
|
|
|
НАЗНАЧЕНИЕ
Ассистирующий ионный источник на основе ускорителя с анодным слоем ASIS-002 предназначен для предварительной ионной очистки подложек, ионного травления, ионного ассистирования при нанесении тонких пленок и формирования слоев методом непосредственного нанесения из ионного пучка.
ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ
- ионно-ассистированное нанесение (IBAD) совместно с электронно-лучевыми, лазерными и дуговыми испарителями, ионно-лучевыми распыляющими системами
- формирование переходного слоя пленка-подложка (ионное перемешивание)
- предварительная ионная очистка
- ионно-лучевое травление с возможностью использования химические активных газов
- прямое нанесение из пучка (DiBD)
- реактивное ионно-лучевое распыление
- ионно-асситированное магнетронное распыление (IBAM)
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
| Анодное напряжение DC, В | 450...6000 |
| Энергия ионов, эВ | 150...2000 |
| Ток ионного пучка, мА | до 200 |
| Рабочее давление, Па | 0,01...0,06 |
| Расход газа, мл/мин | до 40 |
| Рабочие газы | Ar, O2, N2, углеводороды и т.д. |
| Размеры, мм | Ø 298х175 |
| Масса, кг, не более | 9 |
ПРЕИМУЩЕСТВА
- в качестве источника магнитного поля используется электромагнит, что позволяет оптимизировать индукцию магнитного поля в канале ускорения и повысить эффективность формирования ионных пучков
- возможность изменения угла наклона ионного пучка путем замены деталей разрядной зоны ионного источника
- возможность переделки ассистирующего ионного источника в распыляющий путем замены деталей разрядной зоны ионного источника и установки мишенного блока
- в конструкции ионного источника предусмотрена возможность установки RF/DC магнетрона, что позволяет реализовывать метод ионно-ассистированного магнетронного распыления (IBAM)
- ионный источник может быть дооснащен безнакальным нейтрализатором ионного пучка
- оригинальная конструкция фланцевого крепления ионного источника обеспечивает легкий доступ оператора для очистки ионного источника
- применение ионного ассистирования позволяет увеличить адгезию наносимых слоев, снизить пористость наносимых слоев, управлять внутренными напряжениями в слое и стехиометрией при нанесении соединений
РАЗРАБОТЧИК
Центр 2.1 "Ионно-плазменные системы и технологии"
КОНТАКТЫ
ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь
☏ +375 17 293 80 79, +375 17 293 88 35
🖷 +375 17 293 88 35
🖂 svad@bsuir.by ; szavad@bsuir.by
🌐 plasma.bsuir.by
ДРУГИЕ РАЗРАБОТКИ НАПРАВЛЕНИЯ
ПЛАЗМЕННЫЕ ИСТОЧНИКИ ДЛЯ НЕЙТРАЛИЗАЦИИ ИОННЫХ ПУЧКОВ
МАГНЕТРОННЫЕ РАСПЫЛИТЕЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ