АССИСТИРУЮЩИЙ ИОННЫЙ ИСТОЧНИК С ДВОЙНЫМ ХОЛЛОВСКИЙ ТОКОМ



 

 

 

 

 

 

НАЗНАЧЕНИЕ

Ассистирующий ионный источник с двойным холловским током предназначен для предварительной очистки и активации поверхности подложек, ионного ассистирования при нанесении тонких пленок и формирования слоев методом непосредственного нанесения из пучка.

 

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Энергия ионов, эВ                                                                                                        10...10 000
Ток ионного пучка, мА                                                                                                                    до 3,0
Плотность ионного тока при различной энергии ионов, мА/см2  
10...50 эВ до 1,0
50...350 эВ до 4,0
350...1000 эВ до 0,5
Рабочее давление, Па 0,02...0,08
Расход газа, мл/мин 10...60
Неравномерность обработки подложки площадью 200 см2, %, не более 10

 

ОСОБЕННОСТИ

В данном ионном источнике с двойным холловским током применена конфигурация разрядной зоны с двумя анодами и двумя источниками магнитного поля на основе электромагнитов. В зависимости от требуемого режима работы ионного источника электромагниты включаются либо во "встречном" либо "попутном" направлении, что позволяет управлять формой магнитного поля в области генерации и ускорения ионов. При "встречном" включении электромагнитов формируется магнитное поле со значительной осевой составляющей, и источник генерирует пучок ионов с энергиями до нескольких сотен электронвольт. Для формирования пучка ионов с более высокими энергиями (до 1 кэВ) на электромагниты включаются в "попутном" направлении и в разрядной области формируется радиальное магнитное поле.

 

ПРЕИМУЩЕСТВА

  • расширенный диапазон энергий ионного пучка
  • возможность управления профилем ионного пучка путем изменения распределения магнитных полей в разрядной зоне и подачи различных потенциалов на аноды
  • подкосинусный закон распределения генерируемого ионного потока (n < 1) позволяет обеспечить высокую однородность обработки при относительно малых дистанциях ионный источник - подложка

 

РАЗРАБОТЧИК

Центр 9.1 "Электронные технологии и техническая диагностика технологических сред и твердотельных структур"

 

КОНТАКТЫ

ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь
☏  +375 17 293 80 79, +375 17 293 88 35 
🖷  +375 17 293 88 35
🖂   svad@bsuir.by ; szavad@bsuir.by
🌐  plasma.bsuir.by

 

ДРУГИЕ РАЗРАБОТКИ НАПРАВЛЕНИЯ

ИОННЫЕ ИСТОЧНИКИ 

ПЛАЗМЕННЫЕ ИСТОЧНИКИ ДЛЯ НЕЙТРАЛИЗАЦИИ ИОННЫХ ПУЧКОВ

МАГНЕТРОННЫЕ РАСПЫЛИТЕЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ

СИСТЕМЫ ДИАГНОСТИКИ ПАРАМЕТРОВ

ПРОГРАММНЫЙ КОМПЛЕКС "DEPOSITION"