АССИСТИРУЮЩИЙ ИОННЫЙ ИСТОЧНИК С КОМБИНИРОВАННЫМ АНОДНЫМ СЛОЕМ



 

 

 

 

 

 

НАЗНАЧЕНИЕ

Ассистирующий ионный источник с комбинированным анодным слоем предназначен для предварительной очистки и активации поверхности подложек, ионного ассистирования при нанесении тонких пленок и формирования слоев методом непосредственного нанесения из пучка.

 

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Энергия ионов, эВ                                                                                                        50...250
400...1000
Ток ионного пучка, мА                                                                                                                    до 1,2
Плотность ионного тока при различной энергии ионов, мА/см2  
50...250 эВ до 2,0
400...1000 эВ до 1,0
350...1000 эВ до 0,5
Рабочее давление, Па 0,015...0,08
Расход газа, мл/мин 15...60
Неравномерность обработки подложки площадью 200 см2, %, не более 10

 

ОСОБЕННОСТИ

Ионный источник с с комбинированным анодным слоем представляет собой комбинацию ионного источника на основе ускорителя с анодным слоем (УАС) и торцевого холловского ускорителя (ТХУ) и сочетает свойства УАС и ТХУ. Энергетический диапазон источника состоит из нескольких интервалов: при отдельном включении ТХУ 50-120 эВ и УАС 400-1000 эВ, при совместном режиме 100-250 эВ. При совместном функционировании УАС может использоваться в качестве источника электронов для инициализации и поддержания разряда ТХУ.

 

ПРЕИМУЩЕСТВА

  • наличие двух диапазонов энергий ионов
  • возможность работы в безнакальном режиме при одновременном функционировании двух ступеней ионного источника

 

РАЗРАБОТЧИК

Центр 2.1 "Ионно-плазменные системы и технологии"

 

КОНТАКТЫ

ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь
☏  +375 17 293 80 79, +375 17 293 88 35 
🖷  +375 17 293 88 35
🖂   svad@bsuir.by ; szavad@bsuir.by
🌐  plasma.bsuir.by

 

ДРУГИЕ РАЗРАБОТКИ НАПРАВЛЕНИЯ

ИОННЫЕ ИСТОЧНИКИ 

ПЛАЗМЕННЫЕ ИСТОЧНИКИ ДЛЯ НЕЙТРАЛИЗАЦИИ ИОННЫХ ПУЧКОВ

МАГНЕТРОННЫЕ РАСПЫЛИТЕЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ

СИСТЕМЫ ДИАГНОСТИКИ ПАРАМЕТРОВ

ПРОГРАММНЫЙ КОМПЛЕКС "DEPOSITION"