Главная / Продукция / Плазменные технологии

ДВУХЛУЧЕВОЙ ИОННЫЙ ИСТОЧНИК НА ОСНОВЕ УСКОРИТЕЛЯ С АНОДНЫМ СЛОЕМ DBIS-001



 

 

 

 

 

 

НАЗНАЧЕНИЕ

Двухлучевой ионный источник на основе ускорителя с анодным слоем DBIS-001 предназначен для формирования тонких пленок металлов, полупроводников и диэлектриков методом ионно-лучевого распыления и реактивного ионно-лучевого распыления, также применяется для ионной очистки поверхности подложек, активации поверхности. Двухлучевой ионный источник имеет две отдельные ступени генерации ионных пучков и формирует два независимых ионных пучка, один из которых служит для распыления материала мишени, а второй – для предварительной ионной очистки подложек и ионного ассистирования.

 

ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ

  • ионно-лучевое распыление
  • реактивное ионно-лучевое распыление
  • двойное ионно-лучевое распыление
  • ионно-ассистированное нанесение слоев (IBAD) совместно с электронно-лучевыми, лазерными и дуговыми испарителями
  • ионно-асситированное магнетронное распыление (IBAM)
  • предварительная ионная очистка поверхности
  • формирование переходного слоя пленка-подложка (ионное перемешивание)
  • ионно-лучевое травление с возможностью использования химические активных газов

 

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Распыляющая ступень

Диаметр мишени, мм                                                                                                                       80
Анодное напряжение DC, В 800...6000
Энергия ионов, эВ 300...2000
Ток разряда, мА до 300
Ток ионного пучка, мА до 250
Рабочее давление, Па 0,01...0,06
Расход газа, мл/мин до 40
Рабочие газы Ar, O2 , N2 , CH4 и т.д.
Скорость нанесения слоев, нм/с до 0,8


Ассистирующая ступень

Анодное напряжение DC, В                                                                                                            400...3000
Энергия ионов, эВ 300...1000
Ток ионного пучка, мА до 120
Рабочее давление, Па 0,01...0,06
Рабочие газы Ar, O2 , N2 , CH4 и т.д.
Размеры, мм Ø 318х255
Масса, кг, не более 15

 

ПРЕИМУЩЕСТВА

  • в качестве источника магнитного поля используется электромагнит, что позволяет оптимизировать индукцию магнитного поля в канале ускорения и повысить эффективность формирования ионных пучков
  • ионный источник позволяет распылять металлические полупроводниковые и диэлектрические (SiO2, TiO2, BN и т.д.) мишени
  • для формирования многослойных структур в едином вакуумном цикле ионный источник может оснащаться вращаемым мишенедержателем с четырьмя мишенями из различных материалов
  • доукомплектование ионного источника вращаемым мишенедержателем позволяет распылять мозаичные мишени для получения многокомпонентных слоев
  • использование смесей инертных и реактивных газов (кислород, азот) позволяет получать компонентные пленки при распылении металлических мишеней

 

РАЗРАБОТЧИК

Центр 2.1 "Ионно-плазменные системы и технологии"

 

КОНТАКТЫ

ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь
☏  +375 17 293 80 79, +375 17 293 88 35 
🖷  +375 17 293 88 35
🖂   svad@bsuir.by ; szavad@bsuir.by
🌐  plasma.bsuir.by

 

ДРУГИЕ РАЗРАБОТКИ НАПРАВЛЕНИЯ

ИОННЫЕ ИСТОЧНИКИ 

ПЛАЗМЕННЫЕ ИСТОЧНИКИ ДЛЯ НЕЙТРАЛИЗАЦИИ ИОННЫХ ПУЧКОВ

МАГНЕТРОННЫЕ РАСПЫЛИТЕЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ

СИСТЕМЫ ДИАГНОСТИКИ ПАРАМЕТРОВ

ПРОГРАММНЫЙ КОМПЛЕКС "DEPOSITION"