ИОННЫЕ ИСТОЧНИКИ НА ОСНОВЕ ТОРЦЕВОГО ХОЛЛОВСКОГО УСКОРИТЕЛЯ СЕРИИ EHPM



 

 

 

 

 

 

НАЗНАЧЕНИЕ

Ионный источник на основе торцевого холловского ускорителя серии EHPM применяется в технологии вакуумного ионно-плазменного нанесения тонких пленок и предназначен для ионной очистки, ионного ассистирования и нанесения тонкопленочных слоев методом непосредственного нанесения из ионного пучка.

 

ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ

  • предварительная ионная очистка и активация поверхности
  • ионно-ассистированное нанесение (IBAD) совместно с электронно-лучевыми, лазерными и дуговыми испарителями, ионно-лучевыми распыляющими системами
  • прямое нанесение из пучка (DiBD)

 

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Ионный источник EHPM-100

Катодный нейтрализатор                                                                                                            накальный или безнакальный
Магнитная система Sm-Co постоянные магниты
Охлаждение без охлаждения
Напряжение разряда, В 40...300
Максимальный ток разряда, А 3,5
Расхождение пучка > 45º
Энергия ионов, эВ 30...210
Газы Ar, O2, N2, H2, 
углеводороды, хлор- и
фторсодержащие газы
Газовый поток, мл/мин 2...30
Диаметр, мм 94 (3,7 IN)
Высота, мм 76 (3,0 IN)
Масса, кг, не более 4


Ионный источник EHPM-150

Катодный нейтрализатор                                                                                                            накальный или безнакальный
Магнитная система Sm-Co постоянные магниты
Охлаждение без охлаждения или с 
водяным охлаждением 
анода и магнитной системы
Напряжение разряда, В 40...300
Максимальный ток разряда, А 6,5
Расхождение пучка > 45º
Энергия ионов, эВ 30...210
Газы Ar, O2, N2, H2, 
углеводороды, хлор- и
фторсодержащие газы
Газовый поток, мл/мин 6...40
Диаметр, мм 145 (5,7 IN)
Высота, мм 102 (4,0 IN)
Масса, кг, не более 6


ПРЕИМУЩЕСТВА

  • особенностью ионных источников является магнитная система на постоянных магнитах. В качестве источника магнитного поля используются SmCo постоянные магниты с высокой температурой Кюри, которые имеют низкий дрейф характеристик при нагреве
  • простота конструкции
  • простота монтажа

 

РАЗРАБОТЧИК

Центр 2.1 "Ионно-плазменные системы и технологии"

 

КОНТАКТЫ

ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь
☏  +375 17 293 80 79, +375 17 293 88 35 
🖷  +375 17 293 88 35
🖂   svad@bsuir.by ; szavad@bsuir.by
🌐  plasma.bsuir.by

 

ДРУГИЕ РАЗРАБОТКИ НАПРАВЛЕНИЯ

ИОННЫЕ ИСТОЧНИКИ 

ПЛАЗМЕННЫЕ ИСТОЧНИКИ ДЛЯ НЕЙТРАЛИЗАЦИИ ИОННЫХ ПУЧКОВ

МАГНЕТРОННЫЕ РАСПЫЛИТЕЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ

СИСТЕМЫ ДИАГНОСТИКИ ПАРАМЕТРОВ

ПРОГРАММНЫЙ КОМПЛЕКС "DEPOSITION"