ИОННЫЙ ИСТОЧНИК НА ОСНОВЕ ТОРЦЕВОГО ХОЛЛОВСКОГО УСКОРИТЕЛЯ С ИНТЕГРИРОВАННЫМ ПЛАЗМЕННЫМ ИСТОЧНИКОМ ЭЛЕКТРОНОВ
|
|
|
|
НАЗНАЧЕНИЕ
Ионный источник на основе торцевого холловского ускорителя с интегрированным плазменным источником электронов предназначен для предварительной очистки и активации поверхности подложек, ионного ассистирования при нанесения тонких пленок и формирования слоев методом непосредственного нанесения из пучка при использовании химически активных газов.
ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ
- ионно-ассистированное нанесение (IBAD) совместно с электронно-лучевыми, лазерными и дуговыми испарителями, ионно-лучевыми распыляющими системами
- формирование переходного слоя пленка-подложка (ионное перемешивание)
- ионная очистка и активация поверхности
- прямое нанесение из пучка (DiBD)
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
| Напряжение разряда, В | 60...200 |
| Ток разряда, А | 5,0 |
| Энергия ионов, эВ | 30...140 |
| Ток ионного пучка, мА | до 600 |
| Рабочие газы |
Ar, O2, N2, H2, углеводороды, хлор- и фторсодержащие газы |
| Рабочее давление, Па | 0,015-0,06 |
| Расход газа | 15...60 |
| Профиль ионного пучка | j = kl·cosn α (n от 1..3) |
| Неравномерность обработки подложкодержателя Ø 1000 мм, %, не более | 6 |
ПРЕИМУЩЕСТВА
- отсутствие накальных элементов
- нечувствительность к реактивной газовой среде
- длительный срок межсервисного обслуживания
- расширенные диапазоны рабочих режимов за счет использования в качестве источника магнитного поля ионного источника электромагнита
- водяное охлаждение анода и корпуса ионного источника
РАЗРАБОТЧИК
Центр 2.1 "Ионно-плазменные системы и технологии"
КОНТАКТЫ
ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь
☏ +375 17 293 80 79, +375 17 293 88 35
🖷 +375 17 293 88 35
🖂 svad@bsuir.by ; szavad@bsuir.by
🌐 plasma.bsuir.by
ДРУГИЕ РАЗРАБОТКИ НАПРАВЛЕНИЯ
ПЛАЗМЕННЫЕ ИСТОЧНИКИ ДЛЯ НЕЙТРАЛИЗАЦИИ ИОННЫХ ПУЧКОВ
МАГНЕТРОННЫЕ РАСПЫЛИТЕЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ