ПРОТЯЖЕННЫЙ АССИСТИРУЮЩИЙ ИОННЫЙ ИСТОЧНИК



 

 

 

 

 

 

НАЗНАЧЕНИЕ

Протяженный ассистирующий ионный источник на основе ускорителя с анодным слоем предназначен для предварительной ионной очистки подложек, ионного травления, ионного ассистирования при нанесения тонких пленок и формирования слоев методом непосредственного нанесения.

 

ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ

  • ионно-ассистированное нанесение (IBAD) совместно с электронно-лучевыми, лазерными и дуговыми испарителями, ионно-лучевыми распыляющими системами
  • формирование переходного слоя пленка-подложка (ионное перемешивание)
  • предварительная ионная очистка 
  • ионно-лучевое травление с возможностью использования химически активных газов
  • прямое нанесение из пучка (DiBD)
  • ионно-ассистированное магнетронное распыление (IBAM)

 

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Размещение                                                                                                        внутрикамерное
Магнитная система                                                                                                                   Sr-Fe-O 
постоянные магниты
Длина ионного пучка, мм 400
Ток разряда, мА до 400
Анодное напряжение DC, В 800...4500
Энергия ионов, эВ 300...1500
Ток ионного пучка, мА до 200
Рабочее давление, Па 0,02...0,09
Расход газа, мл/мин до 80
Рабочие газы Ar, O2, N2, CHи т.д.
Охлаждение анода и корпуса ИИ
путем принудительной
циркуляции проточной воды
Размеры корпуса ИИ, мм 460x90x50
Габариты, мм, не более 500x100x100
Масса, кг, не более 12

 

РАЗРАБОТЧИК

Центр 9.1 "Электронные технологии и техническая диагностика технологических сред и твердотельных структур"

 

КОНТАКТЫ

ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь
☏  +375 17 293 80 79, +375 17 293 88 35 
🖷  +375 17 293 88 35
🖂   svad@bsuir.by ; szavad@bsuir.by
🌐  plasma.bsuir.by

 

ДРУГИЕ РАЗРАБОТКИ НАПРАВЛЕНИЯ

ИОННЫЕ ИСТОЧНИКИ 

ПЛАЗМЕННЫЕ ИСТОЧНИКИ ДЛЯ НЕЙТРАЛИЗАЦИИ ИОННЫХ ПУЧКОВ

МАГНЕТРОННЫЕ РАСПЫЛИТЕЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ

СИСТЕМЫ ДИАГНОСТИКИ ПАРАМЕТРОВ

ПРОГРАММНЫЙ КОМПЛЕКС "DEPOSITION"