Главная / Продукция / Плазменные технологии

RF/DC МАГНЕТРОННАЯ РАСПЫЛИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА RIF-001.036



 

 

 

 

 

 

НАЗНАЧЕНИЕ

Система RF/DC магнетронного распыления RIS-001.036 применяется в технологии вакуумного ионно-плазменного нанесения тонких пленок и предназначена для нанесения слоев драгоценных металлов и металлов платиновой группы, полупроводников и диэлектриков методами DC, RF (13,56 МГц), импульсного MF (10-200 кГц) магнетронного распыления и реактивного магнетронного распыления. 

 

ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ

  • DC магнетронное распыление
  • импульсное MF магнетронное распыление
  • RF магнетронное распыление
  • DC/MF реактивное магнетронное распыление
  • RF реактивное магнетронное распыление

 

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Магнитная система                                                                                                                     Nd-Fe-B постоянные магниты
Размер мишени, мм Ø 36 (толщина мишени 1-4 мм) *
Размер подложки, мм 30x30 **
Напряжение разряда DC, В 300...600
Ток разряда DC, А до 1,0
Мощность ВЧ разряда (13,56 МГц), Вт до 200
Рабочие газы инертный или смесь
инертного и реактивного газов
(O2, N2 , CxHy)
Расход газа, мл/мин 20...100
Рабочее давление, Па 0,06...1,0
Скорость нанесения (Al мишени), нм/с   
DC 1 кВт до 20,0
ВЧ (13,56 МГц, 200 Вт) до 5,0
Габариты магнетрона, мм Ø 61x197
Масса, кг, не более 2,0


* по требованию Заказчика размер мишени может быть изменен в диапазоне от 20 до 160 мм
** для заданной неравномерности толщины пленки  ±10%


ПРЕИМУЩЕСТВА

  • магнетронная система выполнена на Nd-Fe-B магнитах
  • медный корпус катодного узла обеспечивает хорошее охлаждение мишени и магнитной системы
  • косвенное охлаждение мишени и магнитной системы
  • быстрая смена мишени
  • небольшие размеры мишени 36 мм позволяют эффективно использовать данный магнетрон для распыления мишеней из дорогостоящих материалов и драгоценных металлов, что особенно подходит для использования магнетрона в составе исследовательского оборудования для проведения научных исследований и отработки технологических процессов
  • магнетрон может быть установлен на фланцах вакуумной камеры, интегрирован в ассистрирующий ионный источник ASIS-002 или установлен вместо мишенного узла распыляющих ионных источников серии SPIS-002 или DBIS-001

 

РАЗРАБОТЧИК

Центр 2.1 "Ионно-плазменные системы и технологии"

 

КОНТАКТЫ

ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь
☏  +375 17 293 80 79, +375 17 293 88 35 
🖷  +375 17 293 88 35
🖂   svad@bsuir.by ; szavad@bsuir.by
🌐  plasma.bsuir.by

 

ДРУГИЕ РАЗРАБОТКИ НАПРАВЛЕНИЯ

ИОННЫЕ ИСТОЧНИКИ 

ПЛАЗМЕННЫЕ ИСТОЧНИКИ ДЛЯ НЕЙТРАЛИЗАЦИИ ИОННЫХ ПУЧКОВ

МАГНЕТРОННЫЕ РАСПЫЛИТЕЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ

СИСТЕМЫ ДИАГНОСТИКИ ПАРАМЕТРОВ

ПРОГРАММНЫЙ КОМПЛЕКС "DEPOSITION"